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參數(shù)資料
| 型號： | SSTUB32864AHLFT |
| 廠商： | IDT, Integrated Device Technology Inc |
| 文件頁數(shù)： | 12/12頁 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC REGIST BUFF 25BIT DDR2 96-BGA |
| 標(biāo)準(zhǔn)包裝： | 2,500 |
| 邏輯類型： | 1:2 可配置寄存緩沖器 |
| 電源電壓： | 1.7 V ~ 1.9 V |
| 位數(shù)： | 25，14 |
| 工作溫度： | 0°C ~ 70°C |
| 安裝類型： | 表面貼裝 |
| 封裝/外殼： | 96-LFBGA |
| 供應(yīng)商設(shè)備封裝： | 96-CABGA（13.5x5.5） |
| 包裝： | 帶卷 (TR) |
ICSSSTUB32864A
Advance Information
1166—10/05/05
9
Notes: 1. CL incluces probe and jig capacitance.
2. IDD tested with clock and data inputs held at VDD or GND, and Io = 0mA.
3. All input pulses are supplied by generators having the following chareacteristics: PRR
≤10 MHz,
Zo=50
, input slew rate = 1 V/ns ±20% (unless otherwise specified).
4. The outputs are measured one at a time with one transition per measurement.
5. VREF = VDD/2
6. VIH = VREF + 250 mV (ac voltage levels) for differential inputs. VIH = VDD for LVCMOS input.
7. VIL = VREF - 250 mV (ac voltage levels) for differential inputs. VIL = GND for LVCMOS input.
8. VID = 600 mV
9. tPLH and tPHL are the same as tPDM.
Figure 6 — Parameter
(VDD = 1.8 V ± 0.1 V)
RL = 1000
CL = 30 pF
(see Note 1)
LOAD CIRCUIT
tw
VICR
Inpu t
VIH
VIL
VOLTAGE WAVEFORMS – PULSE DURATION
VREF
Inpu t
tsu
th
VID
VICR
VOLTAGE WAVEFORMS – SETUP AND HOLD TIMES
VICR
VID
VICR
Output
VOL
VOH
VTT
tPHL
tPLH
VOLTAGE WAVEFORMS – PROPAGATION DELAY TIMES
tRPHL
VOL
VOH
VIL
VIH
Output
VOLTAGE WAVEFORMS – PROPAGATION DELAY TIMES
VDD/2
VTT
tact
tinact
LVCMOS
Input
RST#
VOLTAGE AND CURRENT WAVEFORMS
IDD
(see
Note 2)
90%
10%
INPUTS ACTIVE AND INACTIVE TIMES
0 V
VDD
Test Point
VDD/2
VCMOS
Inp ut
RST#
TL=350ps, 50
DUT
CK#
Out
TL=50
CK Inputs
VID
CK
RL = 100
CK
Test Point
RL = 1000
VDD
Measurement Information
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MAX3535ECWI+T | IC TXRX RS485/422 28-SOIC |
| VE-2NB-IU-F4 | CONVERTER MOD DC/DC 95V 200W |
| VE-2NB-IU-F2 | CONVERTER MOD DC/DC 95V 200W |
| VE-2NB-IU-F1 | CONVERTER MOD DC/DC 95V 200W |
| V300C36M150B3 | CONVERTER MOD DC/DC 36V 150W |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| SSTUB32864BHLF | 功能描述:寄存器 RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 邏輯類型:CMOS 邏輯系列:HC 電路數(shù)量:1 最大時鐘頻率:36 MHz 傳播延遲時間: 高電平輸出電流:- 7.8 mA 低電平輸出電流:7.8 mA 電源電壓-最大:6 V 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:SOT-38 封裝:Tube |
| SSTUB32864BHLFT | 功能描述:寄存器 RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 邏輯類型:CMOS 邏輯系列:HC 電路數(shù)量:1 最大時鐘頻率:36 MHz 傳播延遲時間: 高電平輸出電流:- 7.8 mA 低電平輸出電流:7.8 mA 電源電壓-最大:6 V 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:SOT-38 封裝:Tube |
| SSTUB32864EC/G | 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:1.8 V configurable registered buffer for DDR2-800 RDIMM applications |
| SSTUB32864EC/G,518 | 功能描述:寄存器 1.8V CONFG REG RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 邏輯類型:CMOS 邏輯系列:HC 電路數(shù)量:1 最大時鐘頻率:36 MHz 傳播延遲時間: 高電平輸出電流:- 7.8 mA 低電平輸出電流:7.8 mA 電源電壓-最大:6 V 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:SOT-38 封裝:Tube |
| SSTUB32864EC/G-T | 功能描述:寄存器 1.8V CONFG REG BUF/DDR2-800 RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 邏輯類型:CMOS 邏輯系列:HC 電路數(shù)量:1 最大時鐘頻率:36 MHz 傳播延遲時間: 高電平輸出電流:- 7.8 mA 低電平輸出電流:7.8 mA 電源電壓-最大:6 V 最大工作溫度:+ 125 C 封裝 / 箱體:SOT-38 封裝:Tube |
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