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參數(shù)資料
| 型號： | SST85LD1001T-60-RI-LBTE |
| 元件分類： | 存儲控制器/管理單元 |
| 英文描述： | IDE COMPATIBLE, FLASH MEMORY DRIVE CONTROLLER, PBGA91 |
| 封裝： | 12 X 24 MM, ROHS COMPLIANT, MO-210, LBGA-91 |
| 文件頁數(shù)： | 15/36頁 |
| 文件大?。?/td> | 913K |
| 代理商： | SST85LD1001T-60-RI-LBTE |
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2009 Silicon Storage Technology, Inc.
S71382-04-000
10/09
22
512 MByte / 1 GByte / 2 GByte NANDrive
SST85LD0512 / SST85LD1001T / SST85LD1002U
Data Sheet
Word 87
The values in this word should not be depended on by host implementers.
Bit
Function
15
0: Provides indication that the features/command sets supported words are valid
14
1: Provides indication that the features/command sets supported words are valid
13-0
0: Reserved
Word 88
Bit
Function
15-13
Reserved
12
1: Ultra DMA mode 4 is selected
0: Ultra DMA mode 4 is not selected
11
1: Ultra DMA mode 3 is selected
0: Ultra DMA mode 3 is not selected
10
1: Ultra DMA mode 2 is selected
0: Ultra DMA mode 2 is not selected
9
1: Ultra DMA mode 1 is selected
0: Ultra DMA mode 1 is not selected
8
1: Ultra DMA mode 0 is selected
0: Ultra DMA mode 0 is not selected
7-5
Reserved
4
1: Ultra DMA mode 4 and below are supported
3
1: Ultra DMA mode 3 and below are supported
2
1: Ultra DMA mode 2 and below are supported
1
1: Ultra DMA mode 1 and below are supported
0
1: Ultra DMA mode 0 is supported
Word 89: Time required for Security erase unit completion
Word 89 specifies the time required for the Security Erase Unit command to complete.
Value
Time
0
Value not specified
1-254
(Value * 2) minutes
255
>508 minutes
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SST85LD1004T-60-RI-LBTE | IDE COMPATIBLE, FLASH MEMORY DRIVE CONTROLLER, PBGA91 |
| SST85LD1008M-60-PC-LBTE | IDE COMPATIBLE, FLASH MEMORY DRIVE CONTROLLER, PBGA91 |
| SST85LD1008M-60-PC-LBTE | IDE COMPATIBLE, FLASH MEMORY DRIVE CONTROLLER, PBGA91 |
| SST85LP1004A-M-C-LBTE | IDE COMPATIBLE, FLASH MEMORY DRIVE CONTROLLER, PBGA91 |
| SST85LP1004A-M-C-LBTE | IDE COMPATIBLE, FLASH MEMORY DRIVE CONTROLLER, PBGA91 |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| SST85LD1002L-60-4C-LBTE | 功能描述:閃存 2G NAND 60ns 3.3V Commercial RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 數(shù)據(jù)總線寬度:1 bit 存儲類型:Flash 存儲容量:2 MB 結(jié)構(gòu):256 K x 8 定時類型: 接口類型:SPI 訪問時間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel |
| SST85LD1002L-60-PC-LBTE | 功能描述:閃存 2GB NAND 60ns 3.3V Commercial RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 數(shù)據(jù)總線寬度:1 bit 存儲類型:Flash 存儲容量:2 MB 結(jié)構(gòu):256 K x 8 定時類型: 接口類型:SPI 訪問時間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel |
| SST85LD1002U-60-5I-LBTE | 功能描述:閃存 2G NAND 60ns 3.3V Industrial RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 數(shù)據(jù)總線寬度:1 bit 存儲類型:Flash 存儲容量:2 MB 結(jié)構(gòu):256 K x 8 定時類型: 接口類型:SPI 訪問時間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel |
| SST85LD1002U-60-RI-LBTE | 功能描述:閃存 2GB NAND 60ns 3.3V Industrial RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 數(shù)據(jù)總線寬度:1 bit 存儲類型:Flash 存儲容量:2 MB 結(jié)構(gòu):256 K x 8 定時類型: 接口類型:SPI 訪問時間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel |
| SST85LD1004M-60-4C-LBTE | 功能描述:閃存 4G NAND 60ns 3.3V Commercial RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 數(shù)據(jù)總線寬度:1 bit 存儲類型:Flash 存儲容量:2 MB 結(jié)構(gòu):256 K x 8 定時類型: 接口類型:SPI 訪問時間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel |
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