參數(shù)資料
型號： SST55LD017D-40-I-TQW
廠商： SILICON STORAGE TECHNOLOGY INC
元件分類： 存儲控制器/管理單元
英文描述： FLASH MEMORY DRIVE CONTROLLER, PQFP100
封裝： TQFP-100
文件頁數(shù)： 35/59頁
文件大?。?/td> 702K
代理商： SST55LD017D-40-I-TQW
40
EOL Product Document
ATA Flash Disk Controller
SST55LD017D
2006 Silicon Storage Technology, Inc.
S71225-01-EOL
4/06
12.1 DC Characteristics
In the table below, x refers to the characteristics described in Section 12.1.1. For example, I1U indicates a pull up
resistor with a type 1 input characteristic.
TABLE
12-3: CAPACITANCE (Ta = 25°C, f=1 MHz, other pins open)
Parameter
Description
Test Condition
Maximum
CI/O1
I/O Pin Capacitance
VI/O = 0V
15 pF
CIN1
Input Capacitance
VIN = 0V
9 pF
T12-3.0 1225
1. This parameter is measured only for initial qualification and after a design or process change that could affect this parameter.
TABLE
12-4: RELIABILITY CHARACTERISTICS
Symbol
Parameter
Minimum Specification
Units
Test Method
ILTH1
1. This parameter is measured only for initial qualification and after a design or process change that could affect this parameter.
Latch Up
100 + IDD
mA
JEDEC Standard 78
T12-4.0 1225
TABLE
12-5: INPUT CHARACTERISTICS, VDD = VDDQ = 3.135-3.465V
Type
Parameter
Symbol
Conditions
Min
Max
Units
IxZ
Input Leakage Current
IL
VIH = VDDQ Max; VIL = VSS
VDD = VDDQ = VDD Max
-10
10
A
I5U
Pull Up Resistor
RPU2
VDDQ = VDDQ Min; VDD = VDD Min
50
500
KOhm
I1U-I4U
Pull Up Resistor
RPU1
VDDQ = VDDQ Min; VDD = VDD Min
50
1500
KOhm
I2D
Pull Down Resistor
RPD1
VDDQ = VDDQ Min; VDD = VDD Min
50
1500
KOhm
T12-5.0 1225
TABLE
12-6: INPUT CHARACTERISTICS, VDDQ = 4.5-5.5V, VDD = 3.135-3.465V
Type
Parameter
Symbol
Conditions
Min
Max
Units
I1U-I4U
Pull Up Resistor
RPU1
VDDQ = VDDQ Min; VDD = VDD Min
50
700
KOhm
I2D
Pull Down Resistor
RPD1
VDDQ = VDDQ Min; VDD = VDD Min
50
700
KOhm
T12-6.0 1225
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