參數(shù)資料
型號(hào)： SSP7N60
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： 功率晶體管
英文描述： 600V N-Channel MOSFET
中文描述： 7 A, 600 V, 1.2 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220
封裝： TO-220, 3 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 9/11頁(yè)
文件大小： 915K
代理商： SSP7N60
Rev. B, June 2002
2002 Fairchild Semiconductor Corporation
S
Dimensions in Millimeters
Package Dimensions
(Continued)
(7.00)
(0.70)
MAX1.47
(30
°
)
#1
3
±
0
1
±
0
1
±
0
6
±
0
9
±
0
4
±
0
10.16
±
0.20
(1.00x45
°
)
2.54
±
0.20
0.80
±
0.10
9.40
±
0.20
2.76
±
0.20
0.35
±
0.10
3.18
±
0.10
2.54TYP
[2.54
±
0.20
]
2.54TYP
[2.54
±
0.20
]
0.50
+0.10
–
0.05
TO-220F
相關(guān)PDF資料
PDF描述
SSP7N60B 600V N-Channel MOSFET
SSS7N80A TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 800V V(BR)DSS | 4A I(D) | TO-220F
SSS80N06A TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 45A I(D) | TO-220F
SST211X TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 30V V(BR)DSS | 50MA I(D) | CHIP
SST211Y TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 30V V(BR)DSS | 50MA I(D) | SOT-143
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
SSP7N60A 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:Advanced Power MOSFET
SSP7N60B 功能描述:MOSFET N-Ch/600V/7a/1.2Ohm RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
SSP7N60BTSTU 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:
SSP7N80A 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 800V V(BR)DSS | 7A I(D) | TO-220AB
SSP-81 制造商:Sunhayato 功能描述:
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