參數(shù)資料
型號： SSP7N60
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： 功率晶體管
英文描述： 600V N-Channel MOSFET
中文描述： 7 A, 600 V, 1.2 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220
封裝： TO-220, 3 PIN
文件頁數(shù)： 7/11頁
文件大?。?/td> 915K
代理商： SSP7N60
2002 Fairchild Semiconductor Corporation
Rev. B, June 2002
S
Peak Diode Recovery dv/dt Test Circuit & Waveforms
DUT
V
DS
+
_
Driver
R
G
as DUT
V
GS
I
SD
controlled by pulse period
V
DD
L
I
SD
10V
V
GS
( Driver )
I
SD
( DUT )
V
DS
( DUT )
V
DD
Forward Voltage Drop
V
SD
I
FM
, Body Diode Forward Current
Body Diode Reverse Current
I
RM
Body Diode Recovery dv/dt
di/dt
D =
Gate Pulse Period
-Gate Pulse Width
-Gate Pulse Width
Same Type
dv/dt controlled by R
G
Body Diode
相關PDF資料
PDF描述
SSP7N60B 600V N-Channel MOSFET
SSS7N80A TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 800V V(BR)DSS | 4A I(D) | TO-220F
SSS80N06A TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 45A I(D) | TO-220F
SST211X TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 30V V(BR)DSS | 50MA I(D) | CHIP
SST211Y TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 30V V(BR)DSS | 50MA I(D) | SOT-143
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
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SSP7N60B 功能描述:MOSFET N-Ch/600V/7a/1.2Ohm RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
SSP7N60BTSTU 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:
SSP7N80A 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 800V V(BR)DSS | 7A I(D) | TO-220AB
SSP-81 制造商:Sunhayato 功能描述:
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