參數(shù)資料
型號(hào)： SSD2007A
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： JFETs
英文描述： Dual N-CHANNEL POWER MOSFET
中文描述： 2 A, 50 V, 0.3 ohm, 2 CHANNEL, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
封裝： SOP-8
文件頁(yè)數(shù)： 1/5頁(yè)
文件大小： 181K
代理商： SSD2007A
50
50
±
20
2.0
1.6
8.0
2.0
1.3
- 55 to +150
300
8 SOP
S
1
G
1
S
2
G
2
D
1
D
1
D
2
D
2
4
3
1
2
5
6
8
7
Top View
N-Channel MOSFET
!
Extremely Lower R
DS(ON)
!
Improved Inductive Ruggedness
!
Fast Switching Times
!
Rugged Polysilicon Gate Cell Structure
!
Low Input Capacitance
!
Extended Safe Operating Area
!
Improved High Temperature Reliability
!
Surface Mounding Package :
8SOP
FEATURES
Absolute Maximum Ratings
Drain-to-Source Voltage(1)
Drain-Gate Voltage(R
GS
=1.0M
)(1)
Gate-to-Source Voltage
Continuous Drain Current T
A
=25
℃
Continuous Drain Current T
A
=100
℃
Drain Current-Pulsed (2)
Total Power Dissipation T
A
=25
℃
T
A
=70
℃
Operating and Storage
Junction Temperature Range
Maximum Lead Temp. for Soldering
Purposes, 1/16” from case for 5 seconds
Characteristic
Value
Units
V
V
V
Symbol
V
DSS
V
DGR
V
GS
I
D
I
D
I
DM
P
D
T
J
, T
STG
T
L
A
V
A
℃
W
Notes ;
(1) T
J
= 25
℃
to 150
℃
(2) Repetitive Rating : Pulse Width Limited by Max. Junction Temperature
Rev. A
SSD2007A
Dual N-CHANNEL POWER MOSFET
D
1
,D
2
G
1
,G
2
S
1
,S
2
D
1
,D
2
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▼
▼
相關(guān)PDF資料
PDF描述
SSD2007 Dual N-CHANNEL POWER MOSFET
SSD2009 Dual N-CHANNEL POWER MOSFET
SSD2009A Dual N-CHANNEL POWER MOSFET
SSD2011A Dual P-CHANNEL POWER MOSFET
SSD2025 Dual N-CHANNEL POWER MOSFET
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參數(shù)描述
SSD2007ASTF 功能描述:MOSFET N-Ch/50V/2a .3Ohm@VGS=1V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
SSD2007ASTF_Q 功能描述:MOSFET N-Ch/50V/2a .3Ohm@VGS=1V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
SSD2007ATF 功能描述:MOSFET N-Ch/50V/2a 0.3Ohm@VGS=10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
SSD2008A 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | PAIR | COMPLEMENTARY | 30V V(BR)DSS | 3.5A I(D) | SO
SSD2008ATF 功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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