參數(shù)資料
型號(hào)： SSD2009A
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類(lèi)： JFETs
英文描述： Dual N-CHANNEL POWER MOSFET
中文描述： 3 A, 50 V, 0.13 ohm, 2 CHANNEL, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
封裝： SOIC-8
文件頁(yè)數(shù)： 1/5頁(yè)
文件大?。?/td> 183K
代理商： SSD2009A
SSD2009A
50
3.0
2.3
10.0
±
20
2.0
1.3
- 55 to +150
8 SOIC
S
1
G
1
S
2
G
2
D
1
D
1
D
2
D
2
4
3
1
2
5
6
8
7
Top View
N -Channel MOSFET
Dual N-CHANNEL POWER MOSFET
!
Lower R
DS(ON)
!
Improved Inductive Ruggedness
!
Fast Switching Times
!
Low Input Capacitance
!
Extended Safe Operating Area
!
Improved High Temperature Reliability
FEATURES
Absolute Maximum Ratings
Drain-to-Source Voltage
Continuous Drain Current T
A
=25
℃
Continuous Drain Current T
A
=70
℃
Drain Current-Pulsed
①
Gate-to-Source Voltage
Total Power Dissipation ( T
A
=25
℃
)
( T
A
=70
℃
)
Operating and Junction Storage
Temperature Range
Characteristic
Units
V
Symbol
V
DSS
I
D
P
D
A
V
A
℃
W
Part Number
BV
DSS
R
DS(on)
I
D
SSD2009
50V
0.13
3.0A
Product Summary
V
GS
I
DM
T
J
, T
STG
Thermal Resistance
Junction-to-Ambient
R
θ
JA
℃
/W
Characteristic
Max.
Units
Symbol
Typ.
--
62.5
Value
Rev. A1
D
1
,D
2
G
1
,G
2
S
1
,S
2
D
1
,D
2
▼
▼
▼
相關(guān)PDF資料
PDF描述
SSD2011A Dual P-CHANNEL POWER MOSFET
SSD2025 Dual N-CHANNEL POWER MOSFET
SSF10N60B 600V N-Channel MOSFET
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SSF25N40A Advanced Power MOSFET
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參數(shù)描述
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SSD2010TF 功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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