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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | SQ201 |
| 廠商： | Polyfet RF Devices |
| 英文描述： | SILICON GATE ENHANCEMENT MODE RF POWER VDMOS TRANSISTOR |
| 中文描述： | 硅柵增強(qiáng)型射頻功率VDMOS晶體管 |
| 文件頁數(shù)： | 2/2頁 |
| 文件大?。?/td> | 35K |
| 代理商： | SQ201 |
S2A 1 DIE ID & GM Vs VG
0.10
1.00
10.00
0
2
4
6
Vgs in Volts
8
10
12
14
I
Id
gM
S2A 1 DIE CAPACITANCE
0.1
1
10
100
0
5
10
20
25
30
VDS IN VOLT S
Coss
Ciss
Crss
S Q201 P OUT VS P IN Freq= 1000MHz, VDS = 28V, Idq= .4A
0
2
4
6
8
10
12
14
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
3.5
4
P IN IN WAT T S
5.00
6.00
7.00
8.00
9.00
10.00
11.00
12.00
13.00
Pout
Gain
Efficiency = 45%
1dB compression = 8 watts
POLYFET RF DEVICES
POUT VS PIN GRAPH
CAPACITANCE VS VOLTAGE
ID & GM VS VGS
IV CURVE
Zin Zout
PACKAGE DIMENSIONS IN INCHES
SQ201
S2A 1 DIE IV
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
1.4
1.6
0
2
vg=2v
4
6
8
Vg=6v
10
12
14
16
18
20
VDS IN VOLTS
I
Vg=4v
vg=8v
0
vg=12v
1110 Avenida Acaso, Camarillo, Ca 93012 Tel:(805) 484-4210 FAX: (805) 484-3393 EMAIL:Sales@polyfet.com URL:www.polyfet.com
REVISION 03/28/2001
Tolerance .XX +/-0.01 .XXX +/-.005 inches
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SQ202 | SILICON GATE ENHANCEMENT MODE RF POWER VDMOS TRANSISTOR |
| SQ701 | SILICON GATE ENHANCEMENT MODE RF POWER VDMOS TRANSISTOR |
| SQ721 | SILICON GATE ENHANCEMENT MODE RF POWER VDMOS TRANSISTOR |
| SQ741 | SILICON GATE ENHANCEMENT MODE RF POWER VDMOS TRANSISTOR |
| SQ742 | SILICON GATE ENHANCEMENT MODE RF POWER VDMOS TRANSISTOR |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| SQ202 | 制造商:POLYFET 制造商全稱:Polyfet RF Devices 功能描述:SILICON GATE ENHANCEMENT MODE RF POWER VDMOS TRANSISTOR |
| SQ2093H | 制造商:Motorola Inc 功能描述:2093H |
| SQ2113 | 制造商:SECOS 制造商全稱:SeCoS Halbleitertechnologie GmbH 功能描述:CMOS Positive Voltage Regula tor |
| SQ2123 | 制造商:SECOS 制造商全稱:SeCoS Halbleitertechnologie GmbH 功能描述:CMOS Positive Voltage Regula tor |
| SQ2131 | 制造商:SECOS 制造商全稱:SeCoS Halbleitertechnologie GmbH 功能描述:CMOS Positive Voltage Regula tor |
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