參數(shù)資料
型號： SPI20N60C3
廠商： INFINEON TECHNOLOGIES AG
英文描述： Cool MOS™ Power Transistor
文件頁數(shù)： 9/14頁
文件大?。?/td> 314K
代理商： SPI20N60C3
2003-10-08
Page 9
SPP20N60C3, SPB20N60C3
SPI20N60C3, SPA20N60C3
Final data
17 Typ. drain source voltage slope
d
v
/d
t
= f(
R
G
), inductive load,
T
j
= 125°C
par.:
V
DS
=380V,
V
GS
=0/+13V,
I
D
=20.7A
0
5
10
15
20
25
30
R
G
40
0
25
50
75
100
V/ns
150
d
v
/
t
dv/dt(on)
dv/dt(off)
18 Typ. switching losses
E
=
f
(
I
D
), inductive load,
T
j
=125°C
par.:
V
DS
=380V,
V
GS
=0/+13V,
R
G
=3.6
0
3
6
9
12
15
A
21
I
D
0
0.01
0.02
0.03
0.04
0.05
0.06
mWs
0.08
E
Eon*
Eoff
*) Eon includes SPD06S60 diode
commutation losses
19 Typ. switching losses
E
=
f
(
R
G
), inductive load,
T
j
=125°C
par.:
V
DS
=380V,
V
GS
=0/+13V,
I
D
=20.7A
0
5
10
15
20
25
30
R
G
40
0
0.05
0.1
0.15
0.2
0.25
0.3
mWs
0.4
E
Eon*
Eoff
*) Eon includes SPD06S60 diode
commutation losses
20 Avalanche SOA
I
AR
=
f
(
t
AR
)
par.:
T
j
≤
150 °C
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
10
1
10
2
10
4
μs
t
AR
0
5
10
A
20
I
A
Tj(Start)=25°C
Tj(Start)=125°C
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PDF描述
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