參數(shù)資料
型號： SPD30N08S2L-21
廠商： INFINEON TECHNOLOGIES AG
英文描述： OptiMOS Power-Transistor
中文描述： 的OptiMOS功率晶體管
文件頁數(shù)： 1/8頁
文件大?。?/td> 263K
代理商： SPD30N08S2L-21
2003-05-09
Page 1
SPD30N08S2L-21
Opti
MOS
Power-Transistor
Product Summary
V
DS
R
DS(on)
I
D
75
V
m
A
20.5
30
Feature
N-Channel
Enhancement mode
Logic Level
175°C operating temperature
Avalanche rated
d
v
/d
t
rated
P- TO252 -3-11
Marking
2N08L21
Type
SPD30N08S2L-21
Package
P- TO252 -3-11 Q67060-S7414
Ordering Code
Maximum Ratings
, at
T
j
= 25 °C, unless otherwise specified
Parameter
Continuous drain current
1)
Symbol
Value
Unit
A
T
C
=25°C
I
D
30
30
Pulsed drain current
T
C
=25°C
Avalanche energy, single pulse
I
D puls
120
I
D
=30 A ,
V
DD
=25V,
R
GS
=25
Repetitive avalanche energy, limited by
T
jmax
2)
Reverse diode d
v
/d
t
E
AS
240
mJ
E
AR
d
v
/d
t
14
I
S
=30A,
V
DS
=60V,
d
i
/d
t
=200A/μs,
T
jmax
=175°C
Gate source voltage
Power dissipation
6
kV/μs
V
GS
P
tot
±20
136
V
W
T
C
=25°C
Operating and storage temperature
IEC climatic category; DIN IEC 68-1
T
j ,
T
stg
-55... +175
55/175/56
°C
相關(guān)PDF資料
PDF描述
SPD30N08S2-22 OptiMOS Power-Transistor
SPD30N08S2L-24 OptiMOSPower-Transistor( MOS 型功率晶體管)
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SPD50N03S2L-06 OptiMOS Power-Transistor
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參數(shù)描述
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