參數(shù)資料
型號(hào)： SPD30N08S2L-21
廠商： INFINEON TECHNOLOGIES AG
英文描述： OptiMOS Power-Transistor
中文描述： 的OptiMOS功率晶體管
文件頁(yè)數(shù)： 4/8頁(yè)
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代理商： SPD30N08S2L-21
2003-05-09
Page 4
SPD30N08S2L-21
1 Power dissipation
P
tot
=
f
(
T
C
)
parameter:
V
GS
≥
4 V
0
20
40
60
80
100 120 140 160
°C
190
T
C
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
100
110
120
W
150
SPD30N08S2L-21
P
t
2 Drain current
I
D
=
f
(
T
C
)
parameter:
V
GS
≥
10 V
0
20
40
60
80
100 120 140 160
°C
190
T
C
0
4
8
12
16
20
24
A
32
SPD30N08S2L-21
I
D
4 Max. transient thermal impedance
Z
thJC
=
f
(
t
p
)
parameter :
D
=
t
p
/
T
10
-7
10
-6
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
10
0
s
t
p
-4
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
10
1
10
K/W
SPD30N08S2L-21
Z
t
single pulse
0.01
0.02
0.05
0.10
0.20
D = 0.50
3 Safe operating area
I
D
=
f
(
V
DS
)
parameter :
D
= 0.01 ,
T
C
= 25 °C
10
-1
10
0
10
1
10
2
V
V
DS
0
10
1
10
2
10
3
10
A
SPD30N08S2L-21
I
D
R
D(n
V
D
I
D
1 ms
100 μs
t
p = 10.0μs
相關(guān)PDF資料
PDF描述
SPD30N08S2-22 OptiMOS Power-Transistor
SPD30N08S2L-24 OptiMOSPower-Transistor( MOS 型功率晶體管)
SPD35N10 SIPMOS Power-Transistor
SPD50N03S2-07 OptiMOS Power-Transistor
SPD50N03S2L-06 OptiMOS Power-Transistor
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參數(shù)描述
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