參數(shù)資料
型號： SPD30N08S2-23
廠商： SIEMENS AG
英文描述： OptiMOSPower-Transistor( MOS 型功率晶體管)
中文描述： 的OptiMOS功率晶體管（馬鞍山型功率晶體管）
文件頁數(shù)： 4/5頁
文件大?。?/td> 155K
代理商： SPD30N08S2-23
2000-01-13
Page 4
SPD30N08S2-23
Target data sheet
Electrical Characteristics
, at
T
j
= 25 °C, unless otherwise specified
Parameter
Symbol
Values
Unit
min.
typ.
max.
Gate Charge Characteristics
Gate to source charge
V
DD
= 60 V,
I
D
= 25 A
Gate to drain charge
V
DD
= 60 V,
I
D
= 25 A
Gate charge total
V
DD
= 60 V,
I
D
= 25 A,
V
GS
= 0 to 10 V
Gate plateau voltage
V
DD
= 60 V ,
I
D
= 25 A
Q
gs
-
tbd
tbd
nC
Q
gd
-
tbd
tbd
Q
g
-
tbd
tbd
V
(plateau)
-
tbd
-
V
Parameter
Symbol
Values
Unit
min.
typ.
max.
Reverse Diode
Inverse diode continuous forward current
T
C
= 25 °C
Inverse diode direct current,pulsed
T
C
= 25 °C
Inverse diode forward voltage
V
GS
= 0 V,
I
F
= 25 A
Reverse recovery time
V
R
= 40 V,
I
F
=
I
S
, d
i
F
/d
t
= 100 A/μs
Reverse recovery charge
V
R
= 40 V,
I
F=
l
S
, d
i
F
/d
t
= 100 A/μs
I
S
-
-
25
A
I
SM
-
-
120
V
SD
-
tbd
tbd
V
t
rr
-
tbd
tbd
ns
Q
rr
-
tbd
tbd
nC
相關(guān)PDF資料
PDF描述
SPE0522 2-Line ESD Protection Array
SPE0522S52RG 2-Line ESD Protection Array
SPE0526 5-Line ESD Protection Array
SPE0526S36RG 5-Line ESD Protection Array
SPE0534 4-Line ESD Protection Array
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參數(shù)描述
SPD30N08S2L-21 功能描述:MOSFET N-CH 75V 30A DPAK RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:OptiMOS™ 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
SPD30P06P 功能描述:MOSFET P-CH -60 V -30 A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
SPD30P06P G 功能描述:MOSFET SIPMOS Power Transistor RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
SPD30P06P_08 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:SIPMOSò Power-Transistor Features Enhancement mode Avalanche rated
SPD30P06PG 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:
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