參數(shù)資料
型號： SPD30N08S2-23
廠商： SIEMENS AG
英文描述： OptiMOSPower-Transistor( MOS 型功率晶體管)
中文描述： 的OptiMOS功率晶體管（馬鞍山型功率晶體管）
文件頁數(shù)： 2/5頁
文件大小： 155K
代理商： SPD30N08S2-23
2000-01-13
Page 2
SPD30N08S2-23
Target data sheet
Thermal Characteristics
Parameter
Symbol
Values
Unit
min.
typ.
max.
Characteristics
Thermal resistance, junction - case
R
thJC
R
thJA
R
thJA
-
-
1.2
K/W
Thermal resistance, junction - ambient, leaded
-
-
100
SMD version, device on PCB:
@ min. footprint
@ 6 cm
2
cooling area
1)
-
-
-
-
75
50
Electrical Characteristics
, at
T
j
= 25 °C, unless otherwise specified
Parameter
Symbol
Values
Unit
min.
typ.
max.
Static Characteristics
Drain-source breakdown voltage
V
GS
= 0 V,
I
D
= 1 mA
Gate threshold voltage,
V
GS
=
V
DS
I
D
= 80 μA
Zero gate voltage drain current
V
DS
= 75 V,
V
GS
= 0 V,
T
j
= 25 °C
V
DS
= 75 V,
V
GS
= 0 V,
T
j
= 150 °C
Gate-source leakage current
V
GS
= 20 V,
V
DS
= 0 V
Drain-source on-state resistance
V
GS
= 10 V,
I
D
= 25 A
V
(BR)DSS
75
-
-
V
V
GS(th)
2.1
3
4
I
DSS
-
-
0.1
10
1
100
μA
I
GSS
-
10
100
nA
R
DS(on)
-
tbd
23
m
1Device on 40mm*40mm*1.5mm epoxy PCB FR4 with 6cm2 (one layer, 70 μm thick) copper area for drain
connection. PCB is vertical without blown air.
相關(guān)PDF資料
PDF描述
SPE0522 2-Line ESD Protection Array
SPE0522S52RG 2-Line ESD Protection Array
SPE0526 5-Line ESD Protection Array
SPE0526S36RG 5-Line ESD Protection Array
SPE0534 4-Line ESD Protection Array
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
SPD30N08S2L-21 功能描述:MOSFET N-CH 75V 30A DPAK RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:OptiMOS™ 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
SPD30P06P 功能描述:MOSFET P-CH -60 V -30 A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
SPD30P06P G 功能描述:MOSFET SIPMOS Power Transistor RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
SPD30P06P_08 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:SIPMOSò Power-Transistor Features Enhancement mode Avalanche rated
SPD30P06PG 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:
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