參數資料
型號： SPB80N06S2L-05
廠商： SIEMENS AG
英文描述： OptiMOS Power-Transistor( MOS 型功率晶體管)
中文描述： 的OptiMOS功率晶體管（馬鞍山型功率晶體管）
文件頁數： 7/8頁
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代理商： SPB80N06S2L-05
2000-05-12
Page 7
SPP80N06S2L-05
SPB80N06S2L-05
Preliminary data
13 Avalanche energy
E
AS
=
f
(
T
j
)
par.:
I
D
= 80 A ,
V
DD
= 25 V,
R
GS
= 25
25
45
65
85
105
125
145
°C
185
T
j
0
100
200
300
400
500
600
700
mJ
850
E
A
14 Typ. gate charge
V
GS
=
f
(
Q
Gate
)
parameter:
I
D
= 80 A pulsed
SPP80N06S2L-05
0
40
80
120
160
200
nC
Q
Gate
260
0
2
4
6
8
10
12
V
16
V
G
0,8
V
DS max
DS max
V
0,2
15 Drain-source breakdown voltage
V
(BR)DSS
=
f
(
T
j
)
parameter:
I
D
=10 mA
SPP80N06S2L-05
-60
-20
20
60
100
140
°C
T
j
200
50
52
54
56
58
60
62
64
V
66
V
(
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PDF描述
SQC6100 TERRESTRIAL RECEIVER FOR DVB - T
SRD00217O GIGATRUE 550 CAT6 PATCH 2 FT, NON BOOT,LILAC
SRD00217N Ternary PIN Photodiode in Receptacle Package
SRD00217 Ternary PIN Photodiode in Receptacle Package
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