參數(shù)資料
型號： SPB80N06S2L-05
廠商： SIEMENS AG
英文描述： OptiMOS Power-Transistor( MOS 型功率晶體管)
中文描述： 的OptiMOS功率晶體管（馬鞍山型功率晶體管）
文件頁數(shù)： 2/8頁
文件大?。?/td> 93K
代理商： SPB80N06S2L-05
2000-05-12
Page 2
SPP80N06S2L-05
SPB80N06S2L-05
Preliminary data
Thermal Characteristics
Parameter
Symbol
Values
typ.
Unit
min.
max.
Characteristics
Thermal resistance, junction - case
Thermal resistance, junction - ambient, leaded
SMD version, device on PCB:
@ min. footprint
@ 6 cm
2
cooling area
1)
R
thJC
R
thJA
R
thJA
-
-
-
-
-
-
-
-
0.5
62
62
40
K/W
Electrical Characteristics
, at
T
j
= 25 °C, unless otherwise specified
Parameter
Symbol
Values
typ.
Unit
min.
max.
Static Characteristics
Drain-source breakdown voltage
V
GS
= 0 V,
I
D
= 1 mA
Gate threshold voltage,
V
GS
=
V
DS
I
D
= 250 μA
Zero gate voltage drain current
V
DS
= 55 V,
V
GS
= 0 V,
T
j
= 25 °C
V
DS
= 55 V,
V
GS
= 0 V,
T
j
= 125 °C
Gate-source leakage current
V
GS
= 20 V,
V
DS
= 0 V
Drain-source on-state resistance
V
GS
= 4.5 V,
I
D
= 80 A
Drain-source on-state resistance
V
GS
= 10 V,
I
D
= 80 A
V
(BR)DSS
55
-
-
V
V
GS(th)
1.2
1.6
2
I
DSS
-
-
0.01
1
1
100
μA
I
GSS
-
1
100
nA
R
DS(on)
-
4.5
6
m
R
DS(on)
-
4
4.8
1Device on 40mm*40mm*1.5mm epoxy PCB FR4 with 6cm2 (one layer, 70 μm thick) copper area for drain
connection. PCB is vertical without blown air.
相關(guān)PDF資料
PDF描述
SQC6100 TERRESTRIAL RECEIVER FOR DVB - T
SRD00217O GIGATRUE 550 CAT6 PATCH 2 FT, NON BOOT,LILAC
SRD00217N Ternary PIN Photodiode in Receptacle Package
SRD00217 Ternary PIN Photodiode in Receptacle Package
SRD00217G Ternary PIN Photodiode in Receptacle Package
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
SPB80N06S2L-06 功能描述:MOSFET N-CH 55V 80A D2PAK RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:OptiMOS™ 標準包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
SPB80N06S2L-07 功能描述:MOSFET N-CH 55V 80A D2PAK RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:OptiMOS™ 標準包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
SPB80N06S2L-07 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:MOSFET N D2-PAK
SPB80N06S2L-09 功能描述:MOSFET N-CH 55V 80A D2PAK RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:OptiMOS™ 標準包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
SPB80N06S2L-11 功能描述:MOSFET N-CH 55V 80A D2PAK RoHS:否 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:OptiMOS™ 標準包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
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