參數(shù)資料
型號： SMBTA42
廠商： SIEMENS A G
元件分類： 功率晶體管
英文描述： NPN Silicon Transistors for High Voltages
中文描述： 500 mA, 300 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
文件頁數(shù)： 2/4頁
文件大?。?/td> 122K
代理商： SMBTA42
SMBTA42/MMBTA42
Feb-21-2003
2
Electrical Characteristics
at
T
A
= 25°C, unless otherwise specified.
Parameter
Symbol
Values
Unit
min.
typ.
max.
DC Characteristics
Collector-emitter breakdown voltage
I
C
= 1 mA,
I
B
= 0
Collector-base breakdown voltage
I
C
= 100 μA,
I
E
= 0
Emitter-base breakdown voltage
I
E
= 100 μA,
I
C
= 0
Collector cutoff current
V
CB
= 200 V,
I
E
= 0
Collector cutoff current
V
CB
= 200 V,
I
E
= 0 ,
T
A
= 150 °C
Emitter cutoff current
V
EB
= 3 V,
I
C
= 0
DC current gain 1)
I
C
= 1 mA,
V
CE
= 10 V
I
C
= 10 mA,
V
CE
= 10 V
I
C
= 30 mA,
V
CE
= 10 V
Collector-emitter saturation voltage1)
I
C
= 20 mA,
I
B
= 2 mA
Base-emitter saturation voltage 1)
I
C
= 20 mA,
I
B
= 2 mA
V
(BR)CEO
300
-
-
V
V
(BR)CBO
300
-
-
V
(BR)EBO
6
-
-
I
CBO
-
-
100
nA
I
CBO
-
-
20
μA
I
EBO
-
-
100
nA
h
FE
25
40
40
-
-
-
-
-
-
-
V
CEsat
-
-
0.5
V
V
BEsat
-
-
0.9
AC Characteristics
Transition frequency
I
C
= 10 mA,
V
CE
= 20 V,
f
= 100 MHz
Collector-base capacitance
V
CB
= 20 V,
f
= 1 MHz
f
T
50
-
-
MHz
4
pF
-
C
cb
-
1) Pulse test: t < 300 s; D < 2%
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