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參數(shù)資料
| 型號： | SM2T6V8A |
| 廠商： | STMICROELECTRONICS |
| 元件分類： | TVS二極管 - 瞬態(tài)電壓抑制 |
| 英文描述： | 200 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-216AA |
| 封裝： | STMITE PACKAGE-2 |
| 文件頁數(shù)： | 3/6頁 |
| 文件大?。?/td> | 51K |
| 代理商： | SM2T6V8A |
SM2T
3/6
Figure 1: Peak pulse power versus exponential
pulse duration
Figure 2: Relative variation of peak pulse
power versus initial junction temperature
Figure 3: Average power dissipation versus
ambient temperature
Figure 4: Variation of thermal impedance
junction to ambient versus pulse duration
Figure 5: Thermal resistance junction to
ambient versus copper surface under tab
Figure 6: Reverse leakage current versus
junction temperature (typical values)
1.E+01
1.E+02
1.E+03
1.E+04
0.01
0.10
1.00
10.00
P
(W)
PP
t (ms)
p
T initial = 25°C
j
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
100
110
0
25
50
75
100
125
150
175
%
T (°C)
j
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
0
25
50
75
100
125
150
Printed circuit board FR4, recommended pad layout
T
(°C)
AMB
P(W)
T=
AMB
Ttab
0.1
1.0
10.0
100.0
1000.0
1.E-03
1.E-02
1.E-01
1.E+00
1.E+01
1.E+02
1.E+03
S=2cm
S=0.135cm
Z/R
th(j-c)
t (s)
p
0
50
100
150
200
250
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
1.8
2.0
2.2
S(cm)
R
(°C/W)
th(j-a)
1.E-02
1.E-01
1.E+00
1.E+01
1.E+02
0
25
50
75
100
125
150
T (°C)
j
I (nA)
R
V= V
RRM
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SM2T27A | 200 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-216AA |
| SM2T14A | 200 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-216AA |
| SM30KPA100 | 30000 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE |
| SM30KPA220A | 30000 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE |
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相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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