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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | SKM200GB063D |
| 廠商： | SEMIKRON INTERNATIONAL |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | Superfast NPT-IGBT Modules |
| 中文描述： | 260 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT |
| 封裝： | CASE D 56, SEMITRANS 3, 7 PIN |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 4/4頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 721K |
| 代理商： | SKM200GB063D |
Fig. 13 Typ. CAL diode recovered charge
UL Recognized
File no. E 63 532
Dimensions in mm
) 2 *9
) 2 *9
This is an electrostatic discharge sensitive device (ESDS), international standard IEC 60747-1, Chapter IX.
This technical information specifies semiconductor devices but promises no characteristics. No warranty or guarantee
expressed or implied is made regarding delivery, performance or suitability.
SKM 200GB063D
4
20-09-2005 RAA
by SEMIKRON
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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參數(shù)描述 |
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| SKM200GB123D | 制造商:SEMIKRON 功能描述:IGBT MODULE |
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