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參數(shù)資料
| 型號： | SKM200GB063D |
| 廠商： | SEMIKRON INTERNATIONAL |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | Superfast NPT-IGBT Modules |
| 中文描述： | 260 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT |
| 封裝： | CASE D 56, SEMITRANS 3, 7 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 3/4頁 |
| 文件大?。?/td> | 721K |
| 代理商： | SKM200GB063D |
Fig. 7 Typ. switching times vs. I
C
Fig. 8 Typ. switching times vs. gate resistor R
G
Fig. 9 Transient thermal impedance of IGBT
Z
thp(j-c)
= f (t
p
); D = t
p
/t
c
= t
p
*f
Fig. 10 Transient thermal impedance of FWD
Z
thp(j-c)
= f (t
p
); D = t
p
/t
c
= t
p
*f
Fig. 11 CAL diode forward characteristic
Fig. 12 Typ. CAL diode peak reverse recovery current
SKM 200GB063D
3
20-09-2005 RAA
by SEMIKRON
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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參數(shù)描述 |
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| SKM200GB123D | 制造商:SEMIKRON 功能描述:IGBT MODULE |
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