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參數(shù)資料
| 型號： | SJD00074BED |
| 廠商： | Panasonic Corporation |
| 英文描述： | Silicon PNP epitaxial planar type |
| 中文描述： | 硅外延平面型進步黨 |
| 文件頁數(shù)： | 2/3頁 |
| 文件大?。?/td> | 79K |
| 代理商： | SJD00074BED |
2SB1435
2
SJD00074BED
P
C
T
a
I
C
V
CE
V
CE(sat)
I
C
V
BE(sat)
I
C
h
FE
I
C
f
T
I
E
C
ob
V
CB
R
th
t
0
160
40
120
80
0
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
C
C
Ambient temperature T
a
(
°
C)
Without heat sink
0
1.8
1.5
1.2
0.9
0.6
0.3
0
10
2
4
8
6
C
C
Collector-emitter voltage V
CE
(V)
Ta=25C
–1mA
–2mA
–3mA
–4mA
–5mA
–6mA
–7mA
I
B
=–8mA
0.001
1
0.01
0.1
1
10
10
100
1
000
I
C
/I
B
=20
Ta=75C
Ta=–25C
Ta=25C
C
C
Collector current I
C
(mA)
0.01
1
0.1
1
10
100
10
100
1
000
B
B
Collector current I
C
(mA)
I
C
/I
B
=20
Ta=–25C
Ta=25C
Ta=75C
0
1
480
400
320
240
160
80
10
100
1
000
V
CE
=–5V
Ta=75C
25C
–25C
F
F
Collector current I
C
(mA)
1
10
100
0
240
200
160
120
80
40
T
T
Emitter current I
E
(mA)
V
CB
=–10V
f=200MHz
T
C
=25C
0
1
120
100
80
60
40
20
10
100
f=1MHz
I
E
=0
T
C
=25C
C
o
Collector-base voltage V
CB
(V)
10
1
1
10
10
2
10
4
10
3
10
4
10
4
10
3
10
2
10
1
10
1
10
2
10
3
Time t (s)
T
t
°
C
Without heat sink
相關PDF資料 |
PDF描述 |
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