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參數(shù)資料
| 型號： | SIGC81T60NC |
| 廠商： | INFINEON TECHNOLOGIES AG |
| 英文描述： | IGBT Chip in NPT-technology |
| 中文描述： | 在不擴散核武器條約IGBT芯片技術(shù) |
| 文件頁數(shù)： | 3/4頁 |
| 文件大?。?/td> | 77K |
| 代理商： | SIGC81T60NC |
SIGC81T60NC
Edited by INFINEON Technologies AI PS DD HV3, L 7462-M, Edition 2, 28.11.2003
CHIP DRAWING:
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SIGC84T120R3L | IGBT3 Chip |
| SIGC84T120R3 | IGBT3 Chip |
| SIGE | Low-Noise-Amplifier |
| SII161A | SiI 161A PanelLink Receiver |
| SiI161ACT100 | SiI 161A PanelLink Receiver |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| SIGC81T60SNC | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:IGBT Chip in NPT-technology 600V NPT technology positive temperature coefficient |
| SIGC84T120R3 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:IGBT3 Chip |
| SIGC84T120R3 WAF | 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述: |
| SIGC84T120R3L | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:IGBT3 Chip |
| SIGC84T120R3LZJ | 功能描述:MOSFET CHIPLIEFERUNGEN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
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