參數(shù)資料
型號(hào)： SIGC81T60NC
廠商： INFINEON TECHNOLOGIES AG
英文描述： IGBT Chip in NPT-technology
中文描述： 在不擴(kuò)散核武器條約IGBT芯片技術(shù)
文件頁(yè)數(shù)： 1/4頁(yè)
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代理商： SIGC81T60NC
SIGC81T60NC
Edited by INFINEON Technologies AI PS DD HV3, L 7462-M, Edition 2, 28.11.2003
IGBT Chip in NPT-technology
FEATURES:
600V NPT technology
100μm chip
short circuit prove
positive temperature coefficient
easy paralleling
Chip Type
This chip is used for:
IGBT-Modules
Applications:
drives
G
C
E
V
CE
I
Cn
Die Size
Package
Ordering Code
Q67041-A4694-
A001
SIGC81T60NC
600V
100A
8.99 x 8.99 mm
2
sawn on foil
MECHANICAL PARAMETER:
Raster size
8.99 x 8.99
Area total / active
80.82 / 72.6
Emitter pad size
8x( 1.77x2.82 )
Gate pad size
0.78 x 1.51
mm
2
Thickness
100
μm
Wafer size
150
mm
Flat position
90
deg
Max.possible chips per wafer
169
Passivation frontside
Photoimide
Emitter metallization
3200 nm Al Si 1%
Collector metallization
1400 nm Ni Ag –system
suitable for epoxy and soft solder die bonding
Die bond
electrically conductive glue or solder
Wire bond
Al,
≤
500μm
Reject Ink Dot Size
0.65mm ; max 1.2mm
Recommended Storage Environment
store in original container, in dry nitrogen,
< 6 month at an ambient temperature of 23°C
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