參數(shù)資料
型號(hào)： SIC417CD-T1-E3
廠商： Vishay Siliconix
文件頁(yè)數(shù)： 5/19頁(yè)
文件大?。?/td> 922K
描述： IC REG DL BCK/LINEAR SYNC 32MLPQ
標(biāo)準(zhǔn)包裝： 1
系列： microBUCK®
拓?fù)洌?/td> 降壓（降壓）同步（1），線性（LDO）（1）
功能： 任何功能
輸出數(shù)： 2
頻率 - 開(kāi)關(guān)： 200kHz ~ 1MHz
電壓/電流 - 輸出 1： 0.5 V ~ 5.5 V，10A
電壓/電流 - 輸出 2： 0.75 V ~ 5.25 V，150mA
帶 LED 驅(qū)動(dòng)器： 無(wú)
帶監(jiān)控器： 無(wú)
帶序列發(fā)生器： 無(wú)
電源電壓： 3 V ~ 28 V
工作溫度： -25°C ~ 125°C
安裝類(lèi)型： 表面貼裝
封裝/外殼： 32-PowerWFQFN
供應(yīng)商設(shè)備封裝： PowerPAK? MLP55-32
包裝： 標(biāo)準(zhǔn)包裝
其它名稱： SIC417CD-T1-E3DKR
Document Number: 69062
S10-1367-Rev. D, 14-Jun-10
www.vishay.com
5
Vishay Siliconix
SiC417
Notes:
a.V
IN UVLO
 is programmable using a resistor divider from V
IN
 to ENL to A
GND
. The ENL voltage is compared to an internal reference.
b.Guaranteed by design.
c.The switch-over threshold is the maximum voltage diff erential between the V
LDO
 and V
OUT
 pins which ensures that V
LDO
 will internally
switch-over to V
OUT
. The non-switch-over threshold is the minimum voltage diff erential between the V
LDO
 and V
OUT
 pins which ensures that
V
LDO
 will not switch-over to V
OUT
.
d.The LDO drop out voltage is the voltage at which the LDO output drops 2 % below the nominal regulation point.
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Fault Protection
I
LIM
 Source Current
I
LIM
10
礎(chǔ)
Valley Current Limit
R
ILIM
 = 5.9 k?/DIV>
6    8   10   A
I
LIM
 Comparator Offset Voltage
V
ILM-LK
With respect to A
GND
- 10   0   + 10  mV
Output Under-Voltage Fault
V
OUV_Fault
V
FB
 with respect to Internal 500 mV reference,
8 consecutive clocks
- 25
%
Smart Power-Save Protection
Threshold Voltage
b
P
SAVE_VTH
V
FB
 with respect to internal 500 mV reference
+ 10
%
Over-Voltage Protection Threshold
V
FB
 with respect to internal 500 mV reference
+ 20
Over-Voltage Fault Delay
b
t
OV-Delay
5
祍
Over Temperature Shutdown
b
T
Shut
10 癈 hysteresis
150
癈
Logic Inputs/Outputs
Logic Input High Voltage
V
IN+
EN, ENL, PSV
2
V
Logic Input Low Voltage
V
IN-
0.4
EN/PSV Input Bias Current
I
EN-
EN/PSV = V5V or A
GND
- 10
+ 10
礎(chǔ)
ENL Input Bias Current
V
IN
 = 28 V
11   18
FBL, FB Input Bias Current
FBL_I
LK
FBL, FB = V5V or A
GND
- 1
+ 1
Linear Dropout Regulator
FBL Accuracy
FBL
ACC
V
LDO
 load = 10 mA
0.735  0.75  0.765   V
LDO Current Limit
LDO_I
LIM
Start-up and foldback, V
IN
 = 12 V
85
mA
Operating current limit, V
IN
 = 12 V
135  200
V
LDO
 to V
OUT
 Switch-Over Threshold
c
V
LDO-BPS
- 140
+ 140
mV
V
LDO
 to V
OUT
 Non-Switch-Over Threshold
c
V
LDO-NBPS
- 450
+ 450
V
LDO
 to V
OUT
 Switch-Over Resistance
R
LDO
V
OUT
 = 5 V
2
?/DIV>
LDO Drop Out Voltage
d
From V
IN
 to V
VLDO
, V
VLDO
 = + 5 V,
I
VLDO
= 100 mA
1.2
V
ELECTRICAL SPECIFICATIONS
Parameter
Symbol
Test Conditions Unless Specified
V
IN
 = 12 V, V5V = 5 V, T
A
 = + 25 癈 for typ.,
- 25 癈 to + 85 癈 for min. and max.,
T
J
 = < 125 癈
 Min.   Typ.  Max.  Unit
Efficiency vs. Output Current (V
OUT
 = 1.2 V)
I
OUT
 (A)
50
55
60
65
70
75
80
85
90
95
100
0   1   2   3   4   5   6   7   8   9  10
V
IN
=9 V
V
IN
=19 V
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PDF描述
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