參數(shù)資料
型號(hào): SI9926DY
廠商: FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類: JFETs
英文描述: Dual N-Channel 2.5V Specified PowerTrench MOSFET
中文描述: 6.5 A, 20 V, 0.03 ohm, 2 CHANNEL, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
封裝: SO-8
文件頁(yè)數(shù): 3/3頁(yè)
文件大?。?/td> 182K
代理商: SI9926DY
SPICE Device Model Si9926BDY
Vishay Siliconix
Document Number: 72413
01-Jun-04
www.vishay.com
3
COMPARISON OF MODEL WITH MEASURED DATA (T
J
=25
°
C UNLESS OTHERWISE NOTED)
相關(guān)PDF資料
PDF描述
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SI9936BDY SPICE Device Model Si9936BDY
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
SI9926DY-T1 制造商:Vishay Angstrohm 功能描述:Trans MOSFET N-CH 20V 6A 8-Pin SOIC N T/R
SI9928DY 功能描述:MOSFET 20V 5/3.4A 2W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
SI9928DY-T1 制造商:Vishay Angstrohm 功能描述:Trans MOSFET N/P-CH 20V 5A/3.4A 8-Pin SOIC N T/R
SI9933ADY 功能描述:MOSFET SO8 DUAL PCH 30V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
SI9933ADY-T1 制造商:Vishay Angstrohm 功能描述:Trans MOSFET P-CH 20V 3.4A 8-Pin SOIC N T/R