參數(shù)資料
型號： SI9926DY
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： JFETs
英文描述： Dual N-Channel 2.5V Specified PowerTrench MOSFET
中文描述： 6.5 A, 20 V, 0.03 ohm, 2 CHANNEL, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
封裝： SO-8
文件頁數(shù)： 2/3頁
文件大小： 182K
代理商： SI9926DY
SPICE Device Model Si9926BDY
Vishay Sil
iconix
www.vishay.com
2
Document Number: 72413
01-Jun-04
SPECIFICATIONS (T
J
= 25
°
C UNLESS OTHERWISE NOTED)
Parameter
Symbol
Test Conditions
Simulated
Data
Measured
Data
Unit
Static
Gate Threshold Voltage
V
GS(th)
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250
μ
A
0.96
V
On-State Drain Current
a
I
D(on)
V
DS
≥
5 V, V
GS
= 4.5 V
394
A
V
GS
= 4.5 V, I
D
= 8.2 A
0.015
0.016
Drain-Source On-State Resistance
a
r
DS(on)
V
GS
= 2.5 V, I
D
= 3.3 A
0.022
0.024
Forward Transconductance
a
g
fs
V
DS
= 15 V, I
D
= 8.2 A
26
29
S
Forward Voltage
a
Dynamic
b
V
SD
I
S
= 1.7 A, V
GS
= 0 V
0.80
0.80
V
Total Gate Charge
Q
g
10
11
Gate-Source Charge
Q
gs
2.5
2.5
Gate-Drain Charge
Q
gd
V
DS
= 10 V, V
GS
= 4.5 V, I
D
= 8.2 A
3.2
3.2
nC
Turn-On Delay Time
t
d(on)
50
35
Rise Time
t
r
32
50
Turn-Off Delay Time
t
d(off)
24
31
Fall Time
t
f
V
DD
= 10 V, R
L
= 10
I
D
1 A, V
GEN
= 10 V, R
G
= 6
14
15
ns
Notes
a.
b.
Pulse test; pulse width
≤
300
μ
s, duty cycle
≤
2%.
Guaranteed by design, not subject to production testing.
相關(guān)PDF資料
PDF描述
SI9934BDY Dual P-Channel 2.5-V (G-S) MOSFET
SI9934BDY-T1-E3 Dual P-Channel 2.5-V (G-S) MOSFET
SI9934BDY-E3 Dual P-Channel 2.5-V (G-S) MOSFET
SI9934DY Dual P-Channel 2.5V Specified PowerTrench MOSFET
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
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SI9933ADY-T1 制造商:Vishay Angstrohm 功能描述:Trans MOSFET P-CH 20V 3.4A 8-Pin SOIC N T/R
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