參數(shù)資料
型號： SI7445DP
廠商： Vishay Intertechnology,Inc.
元件分類： MOSFETs
英文描述： P-Channel 20-V (D-S) MOSFET, Low-Threshold
中文描述： P通道20 - V（下局副局長）MOSFET的低閾值
文件頁數(shù)： 4/4頁
文件大?。?/td> 41K
代理商： SI7445DP
Si7445DP
Vishay Siliconix
www.vishay.com
4
Document Number: 71626
S-31728—Rev. B, 18-Aug-03
TYPICAL CHARACTERISTICS (25 C UNLESS NOTED)
10
-3
10
-2
1
10
600
10
-1
10
-4
100
0.001
0
1
160
200
40
10
0.01
Single Pulse Power, Juncion-To-Ambient
Time (sec)
120
80
P
2
1
0.1
0.01
0.2
0.1
0.05
0.02
Single Pulse
Duty Cycle = 0.5
Normalized Thermal Transient Impedance, Junction-to-Ambient
Square Wave Pulse Duration (sec)
N
T
1. Duty Cycle, D =
2. Per Unit Base = R
thJA
= 65 C/W
3. T
JM
- T
A
= P
DM
Z
thJA(t)
4. Surface Mounted
t
1
t
2
t
1
t
2
Notes:
P
DM
10
-3
10
-2
1
10
10
-1
10
-4
2
1
0.1
0.01
0.2
0.1
0.05
0.02
Single Pulse
Duty Cycle = 0.5
Normalized Thermal Transient Impedance, Junction-to-Case
Square Wave Pulse Duration (sec)
N
T
0.1
-0.4
-0.2
0.0
0.2
0.4
0.6
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
I
D
= 250 A
Threshold Voltage
V
V
G
T
J
- Temperature ( C)
相關(guān)PDF資料
PDF描述
SI7446DP SPICE Device Model Si7446DP
SI7447DP P-Channel 30-V (D-S) MOSFET
SI7452DP N-Channel 60-V (D-S) Fast Switching MOSFET
SI7456DP 30V N-Channel PowerTrench MOSFET
SI7456DP-T1 30V N-Channel PowerTrench MOSFET
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
SI7445DP-T1 功能描述:MOSFET 20V 19A 5.4W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
SI7445DP-T1-E3 功能描述:MOSFET 20V 19A 5.4W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
SI7445DP-T1-E3 制造商:Vishay Siliconix 功能描述:MOSFET
SI7445DP-T1-GE3 功能描述:MOSFET 20V 19A 5.4W 7.7mohm @ 4.5V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
SI7446BDP-T1-E3 功能描述:MOSFET 30V 19A 1.9W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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