參數(shù)資料
型號： SI7403DN
廠商： Vishay Intertechnology,Inc.
元件分類： MOSFETs
英文描述： P-Channel 20-V (D-S) MOSFET, Low-Threshold
中文描述： P通道20 - V（下局副局長）MOSFET的低閾值
文件頁數(shù)： 4/4頁
文件大?。?/td> 41K
代理商： SI7403DN
Si7403DN
Vishay Siliconix
New Product
www.vishay.com
4
Document Number: 71431
S-03390
—
Rev. A, 02-Apr-01
–
0.2
–
0.1
0.0
0.1
0.2
0.3
0.4
–
50
–
25
0
25
50
75
100
125
150
Threshold Voltage
T
J
–
Temperature ( C)
I
D
= 250 A
V
V
10
–
3
10
–
2
1
10
600
10
–
1
10
–
4
100
0.01
0
1
40
50
10
600
Single Pulse Power, Juncion-To-Ambient
Time (sec)
30
20
P
2
1
0.1
0.01
0.2
0.1
0.05
0.02
Single Pulse
Duty Cycle = 0.5
Normalized Thermal Transient Impedance, Junction-to-Ambient
Square Wave Pulse Duration (sec)
N
T
1. Duty Cycle, D =
2. Per Unit Base = R
thJA
= 68 C/W
3. T
JM
–
T
A
= P
DM
Z
thJA(t)
4. Surface Mounted
t
1
t
2
t
1
t
2
Notes:
P
DM
10
–
3
10
–
2
1
10
–
1
10
–
4
2
1
0.1
0.01
0.2
0.1
0.05
0.02
Single Pulse
Duty Cycle = 0.5
Normalized Thermal Transient Impedance, Junction-to-Case
Square Wave Pulse Duration (sec)
N
T
0.1
10
100
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PDF描述
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參數(shù)描述
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SI7404DN-T1-GE3 功能描述:MOSFET 30V 13.3A 3.8W 13mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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