參數(shù)資料
型號(hào)： SI6965DQ
廠商： Vishay Intertechnology,Inc.
英文描述： P-Channel 2.5-V (G-S) Battery Switch
中文描述： P通道的2.5 V（GS）的電池開(kāi)關(guān)
文件頁(yè)數(shù)： 4/4頁(yè)
文件大小： 53K
代理商： SI6965DQ
Si6965DQ
Vishay Siliconix
www.vishay.com FaxBack 408-970-5600
2-4
Document Number: 70798
S-56943—Rev. B, 02-Nov-98
–0.6
–0.4
–0.2
–0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
–50
–25
0
25
50
75
100
125
150
I
D
= 250 A
1.25
1.50
0
0.02
0.04
0.06
0.08
0
2
4
6
8
10
2
1
0.1
0.01
10
–4
10
–3
10
–2
10
–1
1
100
600
1
10
30
I
D
= 5.0 A
Duty Cycle = 0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
Single Pulse
0.01
0
1
20
30
10
15
10
30
1. Duty Cycle, D =
2. Per Unit Base = R
thJA
= 85 C/W
3. T
JM
– T
A
= P
DM
Z
thJA(t)
4. Surface Mounted
t
1
t
2
t
1
t
2
Notes:
P
DM
0.1
0.00
0.25
0.50
0.75
1.00
T
J
= 25 C
T
J
= 150 C
Threshold Voltage
V
V
G
T
J
– Temperature ( C)
P
Source-Drain Diode Forward Voltage
On-Resistance vs. Gate-to-Source Voltage
Single Pulse Power
Normalized Thermal Transient Impedance, Junction-to-Ambient
Square Wave Pulse Duration (sec)
N
T
–
r
D
)
V
SD
– Source-to-Drain Voltage (V)
V
GS
– Gate-to-Source Voltage (V)
–
I
S
Time (sec)
25
5
10
相關(guān)PDF資料
PDF描述
SI6966EDQ N-Channel 2.5-V (G-S) MOSFET, ESD Protected
SI6966 Dual N-Channel 2.5V Specified PowerTrench MOSFET
SI6966DQ Dual N-Channel 2.5V Specified PowerTrench MOSFET
SI6968BEDQ Dual N-Channel 2.5-V (G-S) MOSFET Common Drain, ESD Protection
SI6968BEDQ-T1 Dual N-Channel 2.5-V (G-S) MOSFET Common Drain, ESD Protection
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
SI6965DQ-T1 功能描述:MOSFET 20V 5A 1.5W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
SI6965DQ-T1-E3 功能描述:MOSFET 20V 5A 1.5W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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