參數(shù)資料
型號(hào)： SI6955ADQ
廠商： Vishay Intertechnology,Inc.
元件分類(lèi)： MOSFETs
英文描述： Dual P-Channel 30-V (D-S) MOSFET
中文描述： 雙P溝道30V的（D-S）MOSFET
文件頁(yè)數(shù)： 2/3頁(yè)
文件大?。?/td> 239K
代理商： SI6955ADQ
Vishay Siliconix
SPICE Device Model Si6955ADQ
SPECIFICATIONS (T
J
= 25
°
C UNLESS OTHERWISE NOTED)
Parameter
Symbol
Test Condition
Typical
Unit
Static
Gate Threshold Voltage
V
GS(th)
V
DS
= V
GS
, I
D
=
250
μ
A
2.2
V
On-State Drain Current
a
I
D(on)
V
DS
=
5 V, V
GS
=
10 V
61
A
V
GS
=
10 V, I
D
=
2.9 A
0.070
Drain-Source On-State Resistance
a
r
DS(on)
V
GS
=
4.5 V, I
D
=
2.2 A
0.108
Forward Transconductance
a
g
fs
V
DS
=
15 V, I
D
=
2.9 A
5.5
S
Diode Forward Voltage
a
Dynamic
b
V
SD
I
S
=
1 A, V
GS
= 0 V
0.8
V
Total Gate Charge
b
Q
g
4.5
Gate-Source Charge
b
Q
gs
2
Gate-Drain Charge
b
Q
gd
V
DS
=
10 V, V
GS
=
5 V, I
D
=
2.9 A
1.9
nC
Turn-On Delay Time
b
t
d(on)
9
Rise Time
b
t
r
12
Turn-Off Delay Time
b
t
d(off)
18
Fall Time
b
t
f
V
DD
=
10 V, R
L
= 10
I
D
1 A, V
GEN
=
10 V, R
G
= 6
24
Source-Drain Reverse Recovery Time
t
rr
I
F
=
1 A, di/dt = 100 A/
μ
s
29
ns
Notes
a. Pulse test; pulse width
≤
300
μ
s, duty cycle
≤
2%.
b. Guaranteed by design, not subject to production testing.
2
www.vishay.com
Document Number: 70550
S-60142
Rev. B, 13-Feb-06
相關(guān)PDF資料
PDF描述
SI6965DQ P-Channel 2.5-V (G-S) Battery Switch
SI6966EDQ N-Channel 2.5-V (G-S) MOSFET, ESD Protected
SI6966 Dual N-Channel 2.5V Specified PowerTrench MOSFET
SI6966DQ Dual N-Channel 2.5V Specified PowerTrench MOSFET
SI6968BEDQ Dual N-Channel 2.5-V (G-S) MOSFET Common Drain, ESD Protection
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
SI6955ADQ-T1 功能描述:MOSFET 30V 2.9A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
SI6955ADQ-T1-E3 功能描述:MOSFET 30V 2.9A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
SI6955ADQ-T1-GE3 功能描述:MOSFET 30V 2.9A 1.14W 80mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
SI6955DQ 功能描述:MOSFET 30V/20V PCh MOSFET Dual RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
SI6955DQ-T1 功能描述:MOSFET 30V 2.5A 1W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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