參數(shù)資料
型號(hào)： SI6466DQ
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： JFETs
英文描述： 30V N-Channel PowerTrench MOSFET
中文描述： 7.8 A, 20 V, 0.015 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
封裝： TSSOP-8
文件頁(yè)數(shù)： 4/5頁(yè)
文件大?。?/td> 161K
代理商： SI6466DQ
Si6466DQ Rev C(W)
Typical Characteristics
0
1
2
3
4
5
04
8
12
16
Qg, GATE CHARGE (nC)
V
GS
,G
A
TE
-S
O
URCE
V
O
LTAG
E
(
V
)
ID = 7.8A
VDS = 5V
15V
10V
0
300
600
900
1200
1500
1800
2100
0
5
10
15
20
VDS, DRAIN TO SOURCE VOLTAGE (V)
CAP
ACITANCE
(
pF)
CISS
CRSS
COSS
f = 1MHz
VGS = 0 V
Figure 7. Gate Charge Characteristics.
Figure 8. Capacitance Characteristics.
0.01
0.1
1
10
100
0.1
1
10
100
VDS, DRAIN-SOURCE VOLTAGE (V)
I D
,DRAIN
CURRE
NT
(
A
)
DC
10s
1s
100ms
RDS(ON) LIMIT
VGS = 4.5V
SINGLE PULSE
RθJA = 114
oC/W
TA = 25
oC
10ms
1ms
100us
0
10
20
30
40
50
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
t1, TIME (sec)
P
(pk
),
P
E
AK
TRANS
IE
NT
P
O
WE
R
(
W
)
SINGLE PULSE
RθJA = 114°C/W
TA = 25°C
Figure 9. Maximum Safe Operating Area.
Figure 10. Single Pulse Maximum
Power Dissipation.
0.001
0.01
0.1
1
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
t1, TIME (sec)
r(t),
NO
RM
ALI
Z
E
D
E
FFE
CT
IVE
T
R
A
N
SIEN
T
H
ER
M
A
L
R
ESIST
ANCE
RθJA(t) = r(t) * RθJA
RθJA =114 °C/W
TJ - TA = P * RθJA(t)
Duty Cycle, D = t1 / t2
P(pk)
t1
t2
SINGLE PULSE
0.01
0.02
0.05
0.1
0.2
D = 0.5
Figure 11. Transient Thermal Response Curve.
Thermal characterization performed using the conditions described in Note 1b.
Transient thermal response will change depending on the circuit board design.
Si6466DQ
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參數(shù)描述
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