| 型號: | SI6436DQ |
| 廠商: | Vishay Intertechnology,Inc. |
| 英文描述: | N-Channel 30-V (D-S) Rated MOSFET |
| 中文描述: | N溝道30 V的(副)額定MOSFET的 |
| 文件頁數(shù): | 1/4頁 |
| 文件大?。?/td> | 45K |
| 代理商: | SI6436DQ |

相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SI6441DQ | P-Channel 30-V (D-S) MOSFET |
| Si6441DQ-T1 | P-Channel 30-V (D-S) MOSFET |
| SI6443DQ | P-Channel 30-V (D-S) MOSFET |
| SI6447DQ | P-Channel 20-V (D-S) MOSFET, Low-Threshold |
| SI6459DQ | P-Channel 60-V (D-S) MOSFET |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| SI6436DQ-T1 | 功能描述:MOSFET 30V 4.4A 1.5W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| SI6441DQ | 制造商:VISHAY 制造商全稱:Vishay Siliconix 功能描述:P-Channel 30-V (D-S) MOSFET |
| SI6441DQ-T1 | 制造商:VISHAY 制造商全稱:Vishay Siliconix 功能描述:P-Channel 30-V (D-S) MOSFET |
| SI6441DQ-T1-E3 | 功能描述:MOSFET 30V 8.0A 1.08W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| SI6441DQ-T1-GE3 | 功能描述:MOSFET 30V 8.0A 1.75W 15mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |