參數(shù)資料
型號(hào)： SI6441DQ
廠商： Vishay Intertechnology,Inc.
元件分類(lèi)： MOSFETs
英文描述： P-Channel 30-V (D-S) MOSFET
中文描述： P溝道30V的MOSFET
文件頁(yè)數(shù)： 1/5頁(yè)
文件大?。?/td> 41K
代理商： SI6441DQ
FEATURES
TrenchFET Power MOSFET
APPLICATIONS
Battery Switch
Load Switch
Si6441DQ
Vishay Siliconix
New Product
Document Number: 72213
S-03984—Rev. A, 19-May-03
www.vishay.com
1
P-Channel 30-V (D-S) MOSFET
PRODUCT SUMMARY
V
DS
(V)
r
DS(on)
( )
I
D
(A)
-30
0.015 @ V
GS
= -10 V
-8
0.024 @ V
GS
= -4.5 V
-6.4
Si6441DQ
D
S
S
G
1
2
3
4
8
7
6
5
D
S
S
D
TSSOP-8
Top View
S*
G
D
P-Channel MOSFET
* Source Pins 2, 3, 6 and 7
must be tied common.
Ordering Information:
Si6441DQ-T1
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T
A
= 25 C UNLESS OTHERWISE NOTED)
Parameter
Symbol
10 secs
Steady State
Unit
Drain-Source Voltage
V
DS
-30
V
Gate-Source Voltage
V
GS
20
Continuous Drain Current
(T
J
= 150 C)
a
T
A
= 25 C
I
D
-8
-6.3
T
A
= 70 C
-6.4
-5.0
A
Pulsed Drain Current (10 s Pulse Width)
I
DM
-30
Continuous Source Current (Diode Conduction)
a
I
S
-1.6
-01.0
Maximum Power Dissipation
a
T
A
= 25 C
P
D
1.75
1.08
W
T
A
= 70 C
1.14
0.69
Operating Junction and Storage Temperature Range
T
J
, T
stg
-55 to 150
C
THERMAL RESISTANCE RATINGS
Parameter
Symbol
Typical
Maximum
Unit
Maximum Junction-to-Ambient
t A bi
a
t
10 sec
R
thJA
55
70
Steady State
95
115
C/W
Maximum Junction-to-Foot
Steady State
R
thJF
38
50
Notes
a.
Surface Mounted on 1” x 1” FR4 Board.
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PDF描述
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