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參數(shù)資料
| 型號： | SI5905DC-T1 |
| 廠商： | Vishay Intertechnology,Inc. |
| 英文描述： | Dual P-Channel 1.8-V (G-S) MOSFET |
| 中文描述： | 雙P溝道的1.8 V（GS）的MOSFET的 |
| 文件頁數(shù)： | 4/4頁 |
| 文件大小： | 113K |
| 代理商： | SI5905DC-T1 |
Si5905DC
Vishay Siliconix
www.vishay.com
2-4
Document Number: 71066
S-21251—Rev. B, 05-Aug-02
TYPICAL CHARACTERISTICS (25
_
C UNLESS NOTED)
0
30
50
10
20
P
Single Pulse Power
Time (sec)
40
1
100
600
10
10
--1
10
--2
10
--4
10
--3
10
--3
10
--2
1
10
600
10
--1
10
--4
100
--0.2
--0.1
0.0
0.1
0.2
0.3
0.4
--50
--25
0
25
50
75
100
125
150
I
D
= 250
m
A
2
1
0.1
0.01
0.2
0.1
0.05
0.02
Single Pulse
Duty Cycle = 0.5
Threshold Voltage
V
V
G
T
J
-- Temperature (
_
C)
Normalized Thermal Transient Impedance, Junction-to-Ambient
Square Wave Pulse Duration (sec)
N
T
1. Duty Cycle, D =
2. Per Unit Base = R
thJA
= 90
_
C/W
3. T
JM
-- T
A
= P
DM
Z
thJA(t)
4. Surface Mounted
t
1
t
2
t
1
t
2
Notes:
P
DM
10
--3
10
--2
1
10
10
--1
10
--4
2
1
0.1
0.01
0.2
0.1
0.05
0.02
Single Pulse
Duty Cycle = 0.5
Normalized Thermal Transient Impedance, Junction-to-Foot
Square Wave Pulse Duration (sec)
N
T
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PDF描述 |
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