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參數(shù)資料
| 型號： | SI5905DC-T1 |
| 廠商： | Vishay Intertechnology,Inc. |
| 英文描述： | Dual P-Channel 1.8-V (G-S) MOSFET |
| 中文描述： | 雙P溝道的1.8 V（GS）的MOSFET的 |
| 文件頁數(shù)： | 2/4頁 |
| 文件大?。?/td> | 113K |
| 代理商： | SI5905DC-T1 |
Si5905DC
Vishay Siliconix
www.vishay.com
2-2
Document Number: 71066
S-21251—Rev. B, 05-Aug-02
SPECIFICATIONS (T
J
= 25
_
C UNLESS OTHERWISE NOTED)
Parameter
Symbol
Test Condition
Min
Typ
Max
Unit
Static
Gate Threshold Voltage
V
GS(th)
V
DS
= V
GS
, I
D
= --250
m
A
--0.45
V
Gate-Body Leakage
I
GSS
V
DS
= 0 V, V
GS
=
8 V
100
nA
Zero Gate Voltage Drain Current
I
DSS
V
DS
= --6.4 V, V
GS
= 0 V
--1
m
A
V
DS
= --6.4 V, V
GS
= 0 V, T
J
= 85
_
C
--5
On-State Drain Current
a
I
D(on)
V
DS
--5 V, V
GS
= --4.5 V
V
GS
= --4.5 V, I
D
= --3 A
--10
A
0.075
0.090
Drain-Source On-State Resistance
a
r
DS(on)
V
GS
= --2.5 V, I
D
= --2.5 A
0.110
0.130
V
GS
= --1.8 V, I
D
= --1.0 A
0.150
0.180
Forward Transconductance
a
g
fs
V
DS
= --5 V, I
D
= --3 A
7
S
Diode Forward Voltage
a
V
SD
I
S
= --0.9 A, V
GS
= 0 V
--0.8
--1.2
V
Dynamic
b
Total Gate Charge
Q
g
5.5
9
Gate-Source Charge
Q
gs
V
DS
= --4 V, V
GS
= --4.5 V, I
D
= --3 A
0.5
nC
Gate-Drain Charge
Q
gd
1.5
Turn-On Delay Time
t
d(on)
10
15
Rise Time
t
r
V
= --4 V, R
= 4
I
D
--1 A, V
GEN
= --4.5 V, R
G
= 6
45
70
Turn-Off Delay Time
t
d(off)
30
45
ns
Fall Time
t
f
10
15
Source-Drain Reverse Recovery Time
t
rr
I
F
= --0.9 A, di/dt = 100 A/
m
s
30
60
Notes
a.
b.
Pulse test; pulse width
≤
300
m
s, duty cycle
≤
2%.
Guaranteed by design, not subject to production testing.
TYPICAL CHARACTERISTICS (25
_
C UNLESS NOTED)
0
2
4
6
8
10
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
0
2
4
6
8
10
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
V
GS
= 5 thru 3 V
T
C
= --55
_
C
125
_
C
25
_
C
Output Characteristics
Transfer Characteristics
V
DS
-- Drain-to-Source Voltage (V)
-
I
D
V
GS
-- Gate-to-Source Voltage (V)
-
I
D
1.5 V
2 V
2.5 V
1 V
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