參數(shù)資料
型號： SI5855DC
廠商： Vishay Intertechnology,Inc.
英文描述： Single P-Ch MOSFET; with integrated low-VF Schottky;
中文描述： 單P溝道MOSFET的總;集成的低室顫肖特基;
文件頁數(shù)： 5/6頁
文件大小： 86K
代理商： SI5855DC
Si5855DC
Vishay Siliconix
New Product
Document Number: 72232
S-31406—Rev. A, 07-Jul-03
www.vishay.com
5
TYPICAL CHARACTERISTICS (25 C UNLESS NOTED)
MOSFET
10
-3
10
-2
1
10
600
10
-1
10
-4
100
2
1
0.1
0.01
0.2
0.1
0.05
0.02
Single Pulse
Duty Cycle = 0.5
Normalized Thermal Transient Impedance, Junction-to-Ambient
Square Wave Pulse Duration (sec)
N
T
1. Duty Cycle, D =
2. Per Unit Base = R
thJA
= 90 C/W
3. T
JM
- T
A
= P
DM
Z
thJA(t)
4. Surface Mounted
t
1
t
2
t
1
t
2
Notes:
P
DM
10
-3
10
-2
1
10
10
-1
10
-4
2
1
0.1
0.01
0.2
0.1
0.05
0.02
Single Pulse
Duty Cycle = 0.5
Normalized Thermal Transient Impedance, Junction-to-Foot
Square Wave Pulse Duration (sec)
N
T
TYPICAL CHARACTERISTICS (25 C UNLESS NOTED)
SCHOTTKY
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
0.0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.1
1
10
Forward Voltage Drop
V
F
- Forward Voltage Drop (V)
-
I
F
0.0001
1
100
Reverse Current vs. Junction Temperature
T
J
- Junction Temperature ( C)
-
I
R
0.001
0.01
0.1
10
20 V
T
J
= 25 C
T
J
= 150 C
10 V
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