參數(shù)資料
型號(hào)： SI5855DC
廠商： Vishay Intertechnology,Inc.
英文描述： Single P-Ch MOSFET; with integrated low-VF Schottky;
中文描述： 單P溝道MOSFET的總;集成的低室顫肖特基;
文件頁數(shù)： 3/6頁
文件大?。?/td> 86K
代理商： SI5855DC
Si5855DC
Vishay Siliconix
New Product
Document Number: 72232
S-31406—Rev. A, 07-Jul-03
www.vishay.com
3
TYPICAL CHARACTERISTICS (25 C UNLESS NOTED)
MOSFET
0
2
4
6
8
10
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
0
2
4
6
8
10
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
V
GS
= 5 thru 3 V
T
C
= -55 C
125 C
25 C
Output Characteristics
Transfer Characteristics
V
DS
- Drain-to-Source Voltage (V)
-
I
D
V
GS
- Gate-to-Source Voltage (V)
-
I
D
1.5 V
2 V
2.5 V
-
r
D
)
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
0
1
2
3
4
5
0
1
2
3
4
5
0.0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0
2
4
6
8
10
V
DS
- Drain-to-Source Voltage (V)
C
rss
C
oss
C
iss
V
DS
= 10 V
I
D
= 2.7 A
I
D
- Drain Current (A)
V
GS
= 4.5 V
I
D
V
GS
= 2.5 V
V
GS
= 4.5 V
Gate Charge
On-Resistance vs. Drain Current
-
Q
g
- Total Gate Charge (nC)
C
V
G
Capacitance
On-Resistance vs. Junction Temperature
T
J
- Junction Temperature ( C)
(
-
r
D
)
V
GS
= 1.8 V
0
200
400
600
800
0
4
8
12
16
20
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