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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | SI5855DC-T1 |
| 廠商： | Vishay Intertechnology,Inc. |
| 英文描述： | P-Channel 1.8-V (G-S) MOSFET With Schottky Diode |
| 中文描述： | P通道1.8 - V的肖特基二極管（GS）的MOSFET的 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 4/6頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 86K |
| 代理商： | SI5855DC-T1 |
Si5855DC
Vishay Siliconix
New Product
www.vishay.com
4
Document Number: 72232
S-31406—Rev. A, 07-Jul-03
TYPICAL CHARACTERISTICS (25 C UNLESS NOTED)
MOSFET
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
0.0
0.1
0.2
0.3
0.4
0
1
2
3
4
5
T
J
= 150 C
I
D
= 2.7 A
10
1
Source-Drain Diode Forward Voltage
On-Resistance vs. Gate-to-Source Voltage
-
r
D
)
V
SD
- Source-to-Drain Voltage (V)
V
GS
- Gate-to-Source Voltage (V)
-
I
S
T
J
= 25 C
0
30
50
10
20
P
Single Pulse Power
Time (sec)
40
1
100
600
10
10
-1
10
-2
10
-4
10
-3
-0.2
-0.1
0.0
0.1
0.2
0.3
0.4
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
I
D
= 250 A
Threshold Voltage
V
V
G
T
J
- Temperature ( C)
Safe Operating Area
V
DS
- Drain-to-Source Voltage (V)
100
1
0.1
1
10
100
0.01
10
T
= 25 C
Single Pulse
-
I
D
dc
0.1
I
DM
Limited
I
Limited
r
DS(on)
Limited
BV
DSS
Limited
P(t) = 1
P(t) = 10
P(t) = 0.1
P(t) = 0.01
P(t) = 0.001
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