參數(shù)資料
型號： SI5853DC-T1
廠商： Vishay Intertechnology,Inc.
英文描述： P-Channel 1.8-V (G-S) MOSFET With Schottky Diode
中文描述： P通道1.8 - V的肖特基二極管（GS）的MOSFET的
文件頁數(shù)： 5/6頁
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代理商： SI5853DC-T1
Si5853DC
Vishay Siliconix
Document Number: 71239
S-21251—Rev. B, 05-Aug-02
www.vishay.com
2-5
TYPICAL CHARACTERISTICS (25
_
C UNLESS NOTED)
Normalized Thermal Transient Impedance, Junction-to-Foot
MOSFET
10
--3
10
--2
1
10
10
--1
10
--4
2
1
0.1
0.01
0.2
0.1
0.05
0.02
Single Pulse
Duty Cycle = 0.5
Square Wave Pulse Duration (sec)
N
T
TYPICAL CHARACTERISTICS (25
_
C UNLESS NOTED)
SCHOTTKY
-
C
T
0.8
1.0
0.1
1
5
Forward Voltage Drop
V
F
-- Forward Voltage Drop (V)
-
I
F
0
0.2
0.4
T
J
= 150
_
C
Capacitance
0
30
60
90
120
150
0
4
8
12
16
20
V
KA
-- Reverse Voltage (V
125
150
0.0001
1
20
10
Reverse Current vs. Junction Temperature
T
J
-- Junction Temperature (
_
C)
-
I
R
0
25
50
75
100
10 V
0.001
0.01
0.1
20 V
0.6
T
J
= 25
_
C
相關(guān)PDF資料
PDF描述
SI5855DC Single P-Ch MOSFET; with integrated low-VF Schottky;
SI5855DC-T1 P-Channel 1.8-V (G-S) MOSFET With Schottky Diode
SI5905DC Dual P-Channel 1.8-V (G-S) MOSFET
SI5905DC-T1 Dual P-Channel 1.8-V (G-S) MOSFET
SI5915DC Dual P-Channel 1.8-V (G-S) MOSFET
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
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SI5855CDC 制造商:VISHAY 制造商全稱:Vishay Siliconix 功能描述:P-Channel 20-V (D-S) MOSFET With Schottky Diode
Si5855CDC-T1-E3 功能描述:MOSFET 20V 3.7A 2.8W 144mohm @ 4.5V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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