參數資料
型號： SI5853DC-T1
廠商： Vishay Intertechnology,Inc.
英文描述： P-Channel 1.8-V (G-S) MOSFET With Schottky Diode
中文描述： P通道1.8 - V的肖特基二極管（GS）的MOSFET的
文件頁數： 4/6頁
文件大?。?/td> 122K
代理商： SI5853DC-T1
Si5853DC
Vishay Siliconix
www.vishay.com
2-4
Document Number: 71239
S-21251—Rev. B, 05-Aug-02
TYPICAL CHARACTERISTICS (25
_
C UNLESS NOTED)
MOSFET
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
0.0
0.1
0.2
0.3
0.4
0
1
2
3
4
5
T
J
= 150
_
C
I
D
= 2.7 A
10
1
Source-Drain Diode Forward Voltage
On-Resistance vs. Gate-to-Source Voltage
-
r
D
)
V
SD
-- Source-to-Drain Voltage (V)
V
GS
-- Gate-to-Source Voltage (V)
-
I
S
T
J
= 25
_
C
0
30
50
10
20
P
Single Pulse Power
Time (sec)
40
1
100
600
10
10
--1
10
--2
10
--4
10
--3
10
--3
10
--2
1
10
600
10
--1
10
--4
100
--0.2
--0.1
0.0
0.1
0.2
0.3
0.4
--50
--25
0
25
50
75
100
125
150
I
D
= 250
m
A
2
1
0.1
0.01
0.2
0.1
0.05
0.02
Single Pulse
Duty Cycle = 0.5
Threshold Voltage
V
V
G
T
J
-- Temperature (
_
C)
Normalized Thermal Transient Impedance, Junction-to-Ambient
Square Wave Pulse Duration (sec)
N
T
1. Duty Cycle, D =
2. Per Unit Base = R
thJA
= 90
_
C/W
3. T
JM
-- T
A
= P
DM
Z
thJA(t)
4. Surface Mounted
t
1
t
2
t
1
t
Notes:
P
DM
相關PDF資料
PDF描述
SI5855DC Single P-Ch MOSFET; with integrated low-VF Schottky;
SI5855DC-T1 P-Channel 1.8-V (G-S) MOSFET With Schottky Diode
SI5905DC Dual P-Channel 1.8-V (G-S) MOSFET
SI5905DC-T1 Dual P-Channel 1.8-V (G-S) MOSFET
SI5915DC Dual P-Channel 1.8-V (G-S) MOSFET
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參數描述
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