參數(shù)資料
型號(hào)： SI5515DC
廠商： Vishay Intertechnology,Inc.
英文描述： Complementary 20-V (D-S) MOSFET
中文描述： 補(bǔ)充20 - V（下局副局長(zhǎng)）MOSFET的
文件頁數(shù)： 6/8頁
文件大小： 82K
代理商： SI5515DC
Si5515DC
Vishay Siliconix
www.vishay.com
6
Document Number: 72221
S-41167—Rev. B, 14-Jun-04
TYPICAL CHARACTERISTICS (25 C UNLESS NOTED)
P-CHANNEL
0
200
400
600
800
0
4
8
12
16
20
r
D
)
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
50
25
0
25
50
75
100
125
150
0
1
2
3
4
5
0
1
2
3
4
5
6
7
8
0.00
0.05
0.10
0.15
0.20
0.25
0.30
0
3
6
9
12
15
V
DS
Drain-to-Source Voltage (V)
C
rss
C
oss
C
iss
V
DS
= 10 V
I
D
= 3 A
I
D
Drain Current (A)
V
GS
= 4.5 V
I
D
V
GS
= 2.5 V
V
GS
= 4.5 V
Gate Charge
On-Resistance vs. Drain Current
Q
g
Total Gate Charge (nC)
C
V
G
Capacitance
On-Resistance vs. Junction Temperature
T
J
Junction Temperature ( C)
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
0.0
0.1
0.2
0.3
0.4
0
1
2
3
4
5
T
J
= 150 C
T
J
= 25 C
I
D
= 3 A
10
1
Source-Drain Diode Forward Voltage
On-Resistance vs. Gate-to-Source Voltage
r
D
)
V
SD
Source-to-Drain Voltage (V)
V
GS
Gate-to-Source Voltage (V)
I
S
V
GS
= 1.8 V
20
I
D
= 0.6 A
r
D
(
相關(guān)PDF資料
PDF描述
Si5515DC-T1-E3 SOCKET, FREE, SEALED, 4WAY RoHS Compliant: Yes
SI552 DUAL FREQUENCY VCXO (10 MHZ TO 1.4 GHZ)
SI570 ANY-RATE I2C PROGRAMMABLE XO/VCXO
Si571 ANY-RATE I2C PROGRAMMABLE XO/VCXO
SI5853DC Single P-Ch MOSFET; with integrated Schottky;
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
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