參數(shù)資料
型號： SI5515DC
廠商： Vishay Intertechnology,Inc.
英文描述： Complementary 20-V (D-S) MOSFET
中文描述： 補充20 - V（下局副局長）MOSFET的
文件頁數(shù)： 4/8頁
文件大小： 82K
代理商： SI5515DC
Si5515DC
Vishay Siliconix
www.vishay.com
4
Document Number: 72221
S-41167—Rev. B, 14-Jun-04
TYPICAL CHARACTERISTICS (25 C UNLESS NOTED)
NCHANNEL
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
0.00
0.02
0.04
0.06
0.08
0.10
0
1
2
3
4
5
T
J
= 150 C
T
J
= 25 C
I
D
= 4.4 A
20
1
Source-Drain Diode Forward Voltage
On-Resistance vs. Gate-to-Source Voltage
r
D
)
V
SD
Source-to-Drain Voltage (V)
V
GS
Gate-to-Source Voltage (V)
I
S
0.4
0.3
0.2
0.1
0.0
0.1
0.2
50
25
0
25
50
75
100
125
150
I
D
= 250 A
Threshold Voltage
V
V
G
T
J
Temperature ( C)
1000
0
30
50
10
20
P
Single Pulse Power
Time (sec)
40
1
100
600
10
10
1
10
2
10
4
10
3
Safe Operating Area
V
DS
Drain-to-Source Voltage (V)
100
1
0.1
1
10
100
0.01
10
T
= 25 C
Single Pulse
I
D
P(t) = 10
dc
0.1
I
DM
Limited
I
Limited
r
DS(on)
Limited
BV
DSS
Limited
P(t) = 1
P(t) = 0.1
P(t) = 0.01
P(t) = 0.001
P(t) = 0.0001
10
I
D
= 2 A
相關PDF資料
PDF描述
Si5515DC-T1-E3 SOCKET, FREE, SEALED, 4WAY RoHS Compliant: Yes
SI552 DUAL FREQUENCY VCXO (10 MHZ TO 1.4 GHZ)
SI570 ANY-RATE I2C PROGRAMMABLE XO/VCXO
Si571 ANY-RATE I2C PROGRAMMABLE XO/VCXO
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相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
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