參數(shù)資料
型號： SI5473DC-T1
廠商： Vishay Intertechnology,Inc.
英文描述： P-Channel 12-V (D-S) MOSFET
中文描述： P溝道12 V的（副）MOSFET的
文件頁數(shù)： 5/5頁
文件大?。?/td> 77K
代理商： SI5473DC-T1
Si5473DC
Vishay Siliconix
New Product
Document Number: 72261
S-31265—Rev. A, 16-Jun-03
www.vishay.com
5
TYPICAL CHARACTERISTICS (25 C UNLESS NOTED)
10
-3
10
-2
1
10
-1
10
-4
2
1
0.1
0.01
0.2
0.1
0.05
0.02
Single Pulse
Duty Cycle = 0.5
Normalized Thermal Transient Impedance, Junction-to-Foot
Square Wave Pulse Duration (sec)
N
T
相關(guān)PDF資料
PDF描述
SI5475DC P-Channel 12-V (D-S) MOSFET
SI5475DC-T1 P-Channel 12-V (D-S) MOSFET
SI5486DUV N-Channel 20-V (D-S) MOSFET
SI5509DC P-Channel 20-V (D-S) MOSFET,Low-Threshold
SI550 VOLTAGE-CONTROLLED CRYSTAL OSCILLATOR (VCXO) 10 MHZ TO 1.4 GHZ
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
SI5473DC-T1-E3 功能描述:MOSFET 12V 8.1A 2.5W 27mohm @ 4.5V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
SI5473DC-T1-GE3 功能描述:MOSFET 12V 8.1A 2.5W 27mohm @ 4.5V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
SI5475BDC-T1-E3 功能描述:MOSFET 12V 6.0A 6.3W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
SI5475BDC-T1-E3/BKN 制造商:Vishay Siliconix 功能描述:P-CHANNEL 12-V (D-S) MOSFET
SI5475BDC-T1-GE3 功能描述:MOSFET 12V 6.0A 6.3W 28mohm @ 4.5V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購需求

(若只采購一條型號，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進(jìn)入我的后臺，查看報(bào)價(jià)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進(jìn)入我的后臺，查看報(bào)價(jià)

*型號 *數(shù)量 廠商 批號 封裝
添加更多采購

我的聯(lián)系方式

*
*
*