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參數資料
| 型號： | SI5401DC |
| 廠商： | Vishay Intertechnology,Inc. |
| 英文描述： | POWER PCB RELAY |
| 中文描述： | P通道20 - V（下局副局長）MOSFET的 |
| 文件頁數： | 3/5頁 |
| 文件大?。?/td> | 65K |
| 代理商： | SI5401DC |
Si5401DC
Vishay Siliconix
New Product
Document Number: 73225
S-50038—Rev. A, 17-Jan-05
www.vishay.com
3
TYPICAL CHARACTERISTICS (25 C UNLESS NOTED)
r
D
)
0
200
400
600
800
1000
1200
1400
1600
1800
2000
0
4
8
12
16
20
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
50
25
0
25
50
75
100
125
150
0
1
2
3
4
5
0
4
8
12
16
20
0.00
0.02
0.04
0.06
0.08
0.10
0
4
8
12
16
20
V
DS
Drain-to-Source Voltage (V)
C
rss
C
oss
C
iss
V
DS
= 10 V
I
D
= 5.2 A
I
D
Drain Current (A)
V
GS
= 4.5 V, 2.5 V, 1.8 V
I
D
V
GS
= 1.8 V
V
GS
= 2.5 V
Gate Charge
On-Resistance vs. Drain Current
Q
g
Total Gate Charge (nC)
C
V
G
Capacitance
On-Resistance vs. Junction Temperature
T
J
Junction Temperature ( C)
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
0.00
0.02
0.04
0.06
0.08
0.10
0.12
0
1
2
3
4
5
T
J
= 150 C
T
J
= 25 C
I
D
= 5.2 A
20
10
1
Source-Drain Diode Forward Voltage
On-Resistance vs. Gate-to-Source Voltage
r
D
)
V
SD
Source-to-Drain Voltage (V)
V
GS
Gate-to-Source Voltage (V)
I
S
V
GS
= 4.5 V
r
D
(
T
J
= 125 C
T
J
= 25 C
T
J
= 125 C
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PDF描述 |
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