參數(shù)資料
型號： SI4982DY
廠商： Vishay Intertechnology,Inc.
英文描述： Dual N-Channel 100-V (D-S) MOSFET
中文描述： 雙N溝道100 -五（副）MOSFET的
文件頁數(shù)： 3/4頁
文件大小： 40K
代理商： SI4982DY
Si4982DY
Vishay Siliconix
Document Number: 70748
S-03950—Rev. B, 26-May-03
www.vishay.com
2-3
TYPICAL CHARACTERISTICS (25 C UNLESS NOTED)
0
4
8
12
16
20
0
1
2
3
4
0
4
8
12
16
20
0
7
14
21
28
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
0.00
0.05
0.10
0.15
0.20
0.25
0
4
8
12
16
20
0
300
600
900
1200
0
20
40
60
80
100
0
4
8
12
16
20
0
1
2
3
4
5
6
Output Characteristics
Transfer Characteristics
Gate Charge
On-Resistance vs. Drain Current
V
DS
- Drain-to-Source Voltage (V)
-
I
D
V
GS
= 10 thru 6 V
5 V
4 V
V
GS
- Gate-to-Source Voltage (V)
-
I
D
T
C
= 125 C
-55 C
-
Q
g
- Total Gate Charge (nC)
V
DS
- Drain-to-Source Voltage (V)
C
V
G
C
oss
C
iss
V
DS
= 50 V
I
D
= 2.6 A
-
r
D
I
D
- Drain Current (A)
Capacitance
On-Resistance vs. Junction Temperature
V
GS
= 10 V
I
D
T
J
- Junction Temperature ( C)
(
-
r
D
V
GS
= 10 V
V
GS
= 6 V
25 C
3 V
C
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SI4982DY-T1-E3 功能描述:MOSFET 100V 2.6A 2W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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