參數(shù)資料
型號(hào)： SI4973DY-T1
廠商： Vishay Intertechnology,Inc.
英文描述： Dual P-Channel 25-V (G-S) MOSFET
中文描述： 雙P溝道25 - V（下GS）的MOSFET的
文件頁數(shù)： 4/5頁
文件大?。?/td> 46K
代理商： SI4973DY-T1
Si4973DY
Vishay Siliconix
New Product
www.vishay.com
4
Document Number: 72164
S-03599—Rev. A, 31-Mar-03
TYPICAL CHARACTERISTICS (25 C UNLESS NOTED)
0
30
50
10
20
P
Single Pulse Power
Time (sec)
40
10
-3
10
-2
1
10
600
10
-1
10
-4
100
-0.4
-0.2
0.0
0.2
0.4
0.6
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
I
D
= 250 A
2
1
0.1
0.01
0.2
0.1
0.05
0.02
Single Pulse
Duty Cycle = 0.5
Threshold Voltage
V
V
G
T
J
- Temperature ( C)
Normalized Thermal Transient Impedance, Junction-to-Ambient
Square Wave Pulse Duration (sec)
N
T
1. Duty Cycle, D =
2. Per Unit Base = R
thJA
= 85 C/W
3. T
JM
- T
A
= P
DM
Z
thJA(t)
4. Surface Mounted
t
1
t
2
t
1
t
2
Notes:
P
DM
1
100
600
10
10
-1
10
-2
Safe Operating Area, Junction-to-Ambient
V
DS
- Drain-to-Source Voltage (V)
100
1
0.1
1
10
100
0.01
10
T
= 25 C
Single Pulse
-
I
D
P(t) = 10
dc
0.1
I
DM
Limited
I
Limited
r
DS(on)
Limited
BV
DSS
Limited
P(t) = 1
P(t) = 0.1
P(t) = 0.01
P(t) = 0.001
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PDF描述
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SI4980DY-E3 功能描述:MOSFET 80V 3.7A 2W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
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