參數(shù)資料
型號(hào)： SI4967DY
廠商： Vishay Intertechnology,Inc.
英文描述： Dual P-Channel 1.8-V (G-S) MOSFET
中文描述： 雙P溝道的1.8 V（GS）的MOSFET的
文件頁(yè)數(shù)： 4/4頁(yè)
文件大?。?/td> 62K
代理商： SI4967DY
Si4967DY
Vishay Siliconix
www.vishay.com
4
Document Number: 70813
S-31989—Rev. C, 13-Oct-03
TYPICAL CHARACTERISTICS (25 C UNLESS NOTED)
0.01
1
10
600
0.1
100
2
1
0.1
0.01
Duty Cycle = 0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
1. Duty Cycle, D =
2. Per Unit Base = R
thJA
= 93 C/W
3. T
JM
- T
A
= P
DM
Z
thJA(t)
4. Surface Mounted
t
1
t
2
t
1
t
Notes:
P
DM
Normalized Thermal Transient Impedance, Junction-to-Ambient
Square Wave Pulse Duration (sec)
N
T
0
15
30
5
10
P
Single Pulse Power
Time (sec)
20
25
Single Pulse
10
-3
10
-2
1
10
600
10
-1
10
-4
100
-0.2
-0.1
0.0
0.1
0.2
0.3
0.4
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
I
D
= 250 A
1.0
1.2
0.00
0.02
0.04
0.06
0.08
0.10
0
1
2
3
4
5
1
10
30
I
D
= 7.5 A
0.00
0.2
0.4
0.6
0.8
T
J
= 25 C
T
J
= 150 C
Threshold Voltage
V
V
G
T
J
- Temperature ( C)
Source-Drain Diode Forward Voltage
On-Resistance vs. Gate-to-Source Voltage
-
r
D
)
V
SD
- Source-to-Drain Voltage (V)
V
GS
- Gate-to-Source Voltage (V)
-
I
S
相關(guān)PDF資料
PDF描述
SI4967DY-T1 Dual P-Channel 1.8-V (G-S) MOSFET
SI4973DY-T1 Dual P-Channel 25-V (G-S) MOSFET
SI4982DY Dual N-Channel 100-V (D-S) MOSFET
SI4982DY-T1 Dual N-Channel 100-V (D-S) MOSFET
Si5401DC-T1-E3 P-Channel 20-V (D-S) MOSFET, Low-Threshold
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
SI4967DY-E3 功能描述:MOSFET 12V 7.5A 2W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
SI4967DY-T1 功能描述:MOSFET 12V 7.5A 2W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
SI4967DY-T1-E3 功能描述:MOSFET 12V 7.5A 2W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
SI4967DY-T1-GE3 功能描述:MOSFET 12V 7.5A 2.0W 23mohm @ 4.5V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
SI4971DY 制造商:VISHAY 制造商全稱:Vishay Siliconix 功能描述:Dual P-Channel 25-V (G-S) MOSFET
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