參數(shù)資料
型號： SI4967DY
廠商： Vishay Intertechnology,Inc.
英文描述： Dual P-Channel 1.8-V (G-S) MOSFET
中文描述： 雙P溝道的1.8 V（GS）的MOSFET的
文件頁數(shù)： 3/4頁
文件大?。?/td> 62K
代理商： SI4967DY
Si4967DY
Vishay Siliconix
Document Number: 70813
S-31989—Rev. C, 13-Oct-03
www.vishay.com
3
TYPICAL CHARACTERISTICS (25 C UNLESS NOTED)
0
6
12
18
24
30
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
0.00
0.02
0.04
0.06
0.08
0.10
0
6
12
18
24
30
0
6
12
18
24
30
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
0
1
2
3
4
5
0
8
16
24
32
40
0.6
0.9
1.2
1.5
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
0
1000
2000
3000
4000
5000
6000
7000
0
3
6
9
12
V
GS
= 5 thru 2.5V
25 C
T
C
= 125 C
C
rss
C
oss
C
iss
V
DS
= 6 V
I
D
= 7.5 A
V
GS
= 4.5 V
I
D
= 7.5 A
V
GS
= 4.5 V
V
GS
= 2.5 V
1 V
-55 C
1.5 V
Output Characteristics
Transfer Characteristics
Gate Charge
On-Resistance vs. Drain Current
V
DS
- Drain-to-Source Voltage (V)
-
I
D
V
GS
- Gate-to-Source Voltage (V)
-
I
D
-
Q
g
- Total Gate Charge (nC)
V
DS
- Drain-to-Source Voltage (V)
C
V
G
-
r
D
)
I
D
- Drain Current (A)
Capacitance
On-Resistance vs. Junction Temperature
T
J
- Junction Temperature ( C)
(
-
r
D
)
V
GS
= 1.8 V
2 V
相關(guān)PDF資料
PDF描述
SI4967DY-T1 Dual P-Channel 1.8-V (G-S) MOSFET
SI4973DY-T1 Dual P-Channel 25-V (G-S) MOSFET
SI4982DY Dual N-Channel 100-V (D-S) MOSFET
SI4982DY-T1 Dual N-Channel 100-V (D-S) MOSFET
Si5401DC-T1-E3 P-Channel 20-V (D-S) MOSFET, Low-Threshold
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參數(shù)描述
SI4967DY-E3 功能描述:MOSFET 12V 7.5A 2W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
SI4967DY-T1 功能描述:MOSFET 12V 7.5A 2W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
SI4967DY-T1-E3 功能描述:MOSFET 12V 7.5A 2W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
SI4967DY-T1-GE3 功能描述:MOSFET 12V 7.5A 2.0W 23mohm @ 4.5V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
SI4971DY 制造商:VISHAY 制造商全稱:Vishay Siliconix 功能描述:Dual P-Channel 25-V (G-S) MOSFET
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