| 型號(hào): | SI4948EY |
| 廠商: | Vishay Intertechnology,Inc. |
| 英文描述: | Dual P-Channel 60-V (D-S), 175C MOSFET |
| 中文描述: | 雙P溝道60五(副),175葷MOSFET的 |
| 文件頁(yè)數(shù): | 1/4頁(yè) |
| 文件大小: | 56K |
| 代理商: | SI4948EY |

相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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| Si4948BEY-E3 | Dual P-Channel 60-V (D-S) 175 MOSFET |
| SI4948BEY | Dual P-Channel 60-V (D-S) 175 MOSFET |
| Si4948BEY-T1-E3 | Dual P-Channel 60-V (D-S) 175 MOSFET |
| SI4955DY | Assymetrical Dual P-Channel 30-V/20-V (D-S) MOSFETs |
| SI4965DY | Dual P-Channel 1.8-V (G-S) MOSFET |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| SI4948EY-E3 | 功能描述:MOSFET 60V 3.1A 2.4W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| SI4948EY-T1 | 功能描述:MOSFET 60V 3.1A 2.4W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| SI4948EY-T1-E3 | 功能描述:MOSFET 60V 3.1A 2.4W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| SI4948EY-T1-GE3 | 功能描述:MOSFET 60V 3.1A 2.4W 120mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| SI4949EY | 功能描述:MOSFET 60/30V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |