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參數(shù)資料
| 型號： | SI4927DY |
| 廠商： | Vishay Intertechnology,Inc. |
| 英文描述： | P-Channel 30-V (D-S) Battery Switch |
| 中文描述： | P溝道30 V的（副）電池開關(guān) |
| 文件頁數(shù)： | 3/4頁 |
| 文件大?。?/td> | 60K |
| 代理商： | SI4927DY |
Si4927DY
Vishay Siliconix
Document Number: 70808
S-59519—Rev. B, 04-Sep-98
www.vishay.com FaxBack 408-970-5600
2-3
0
8
16
24
32
40
0
1
2
3
4
5
6
0
0.04
0.08
0.12
0.16
0.20
0
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10
0
2
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0
8
16
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0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
–50
–25
0
25
50
75
100
125
150
0
800
1600
2400
3200
4000
0
6
12
18
24
30
V
GS
= 5 thru 10 V
25 C
T
C
= 125 C
C
rss
C
oss
C
iss
V
DS
= 15 V
I
D
= 7.4 A
V
GS
= 10 V
I
D
= 7.4 A
V
GS
= 4.5 V
V
GS
= 10 V
4 V
–55 C
3 V
Output Characteristics
Transfer Characteristics
Gate Charge
On-Resistance vs. Drain Current
V
DS
– Drain-to-Source Voltage (V)
–
I
D
V
GS
– Gate-to-Source Voltage (V)
–
I
D
–
Q
g
– Total Gate Charge (nC)
V
DS
– Drain-to-Source Voltage (V)
C
V
G
–
r
D
)
I
D
– Drain Current (A)
Capacitance
On-Resistance vs. Junction Temperature
T
J
– Junction Temperature ( C)
(
–
r
D
)
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SI4931DY | Dual P-Channel 12-V (D-S) MOSFET |
| SI4931DY-E3 | Dual P-Channel 12-V (D-S) MOSFET |
| SI4931DY-T1 | Dual P-Channel 12-V (D-S) MOSFET |
| SI4931DY-T1-E3 | Dual P-Channel 12-V (D-S) MOSFET |
| SI4933DY | Dual P-Channel 12-V (D-S) MOSFET |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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| SI4927DY-T1 | 功能描述:MOSFET 30V 7.4A 2.5W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| SI4927DY-T1-E3 | 功能描述:MOSFET 30V 7.4A 2.5W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| SI4931DY | 制造商:VISHAY 制造商全稱:Vishay Siliconix 功能描述:Dual P-Channel 12-V (D-S) MOSFET |
| SI4931DY_05 | 制造商:VISHAY 制造商全稱:Vishay Siliconix 功能描述:Dual P-Channel 12-V (D-S) MOSFET |
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