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參數(shù)資料
| 型號： | SI4922DY |
| 廠商： | Vishay Intertechnology,Inc. |
| 英文描述： | SPICE Device Model Si4922DY |
| 中文描述： | 器件的SPICE模型Si4922DY |
| 文件頁數(shù)： | 3/3頁 |
| 文件大?。?/td> | 195K |
| 代理商： | SI4922DY |
SPICE Device Model Si4922DY
Vishay Siliconix
Document Number: 71563
16-Apr-01
www.vishay.com
3
COMPARISON OF MODEL WITH MEASURED DATA (T
J
=25
°
C UNLESS OTHERWISE NOTED)
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| SI4923DY | Dual P-Channel 30-V (D-S) MOSFET |
| SI4927DY | P-Channel 30-V (D-S) Battery Switch |
| SI4931DY | Dual P-Channel 12-V (D-S) MOSFET |
| SI4931DY-E3 | Dual P-Channel 12-V (D-S) MOSFET |
| SI4931DY-T1 | Dual P-Channel 12-V (D-S) MOSFET |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| SI4922DY-E3 | 功能描述:MOSFET 30V 12A 2.5W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| SI4922DY-T1 | 功能描述:MOSFET 30V 12A 2.5W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| SI4922DY-T1-E3 | 功能描述:MOSFET 30V 12A 2.5W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| SI4923DY | 制造商:VISHAY 制造商全稱:Vishay Siliconix 功能描述:Dual P-Channel 30-V (D-S) MOSFET |
| SI4923DY-T1 | 功能描述:MOSFET 30V 8.3A 1.1W RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
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